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多功能預驅動器，為中高電流驅動器提供全方位保護
關于IGBT／MOSFET預驅動器，相信做電機驅動或者大功率設備驅動的工程師都會有所了解，所謂預驅動器，其實就是將微控制器與IGBT／MOSFET隔離開來，為負載及驅動器提供保護，并為微控制器（MCU）提供診斷信息。這種預驅動器一般會使用運放，MOS或者三極管等搭建，在實現保護驅動器和微控制器的前提之下，還實現了將MOSFET的漏極-源極電壓（VDS）與基準電壓做比較，實現狀態診斷；那么大家知道光耦其實還可以做IGBT／MOSFET的預驅動器么？東芝針對IGBT／MOSFET產品以及光耦應用技術深耕多年，這款針對中高電流IGBT／MOSFET的預驅動器——TLP5231，就是東芝半導體系列產品線的補充和完善。
2022-04-27
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如何正確理解功率循環曲線
近年來IGBT的可靠性問題一直受到行業的廣泛關注，特別是風力發電、軌道交通等應用領域。IGBT的可靠性通常用以芯片結溫變化為衡量目標的功率循環曲線和基板溫度變化為衡量目標的溫度循環曲線來評估。引起IGBT可靠性問題的原因主要是IGBT是由多種膨脹系數不同的材料焊接在一起，工作過程中溫度的變化會引起結合點的老化，以及綁定線在工作過程中熱脹冷縮；另外綁定線的成分，綁定工具的形狀、綁定參數以及芯片的金屬化焊接等因素都會影響IGBT的可靠性。
2022-04-20
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圖騰柱無橋PFC中混合碳化硅分立器件的應用
現代尖端電力電子設備性能升級需要提升系統功率密度、使用更高的主開關頻率。而現有硅基IGBT配合硅基FRD性能已無法完全滿足要求，需要高性能與性價比兼具的主開關器件。為此，基本半導體推出的混合碳化硅分立器件（Hybrid SiC Discrete Devices）將新型場截止IGBT技術和碳化硅肖特基二極管技術相結合，為硬開關拓撲打造了一個兼顧品質和性價比的完美方案。
2022-04-01
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英飛凌650V混合SiC IGBT單管助力戶用光伏逆變器提頻增效
戶用光伏每年裝機都在高速增長，單相光伏逆變器功率范圍基本在3~10kW，系統電路示意框圖如圖1所示，從光伏電池板經過逆變器中DC/DC，DC/AC電路實現綠電的能量轉換，英飛凌能提供一站式半導體解決方案包括650V功率器件、無核變壓器CT技術驅動IC、主控制MCU和電源管理芯片等。
2022-03-01
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集成驅動器！原來，GaN電源系統性能升級的奧秘在這里~
如今，以GaN和SiC為代表的第三代半導體技術風頭正勁。與傳統的半導體材料相比，GaN和SiC禁帶寬度大、擊穿電場強度高、電子遷移率高、熱導電率大、介電常數小、抗輻射能力強……因此可實現更高的功率密度、更高的電壓驅動能力、更快的開關頻率、更高的效率、更佳的熱性能、更小的尺寸，在高溫、高頻、高功率、高輻射等功率電子應用領域，不斷在向傳統的硅基IGBT和MOSFET器件發起強勁的沖擊。
2022-02-17
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一文弄懂IGBT驅動
要了解什么是IGBT驅動，首先你需要了解什么是IGBT。我們都知道，電機驅動是IGBT的主要應用領域之一。
2022-02-11
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SiC MOSFET：橋式結構中柵極－源極間電壓的動作
MOSFET和IGBT等電源開關元器件被廣泛應用于各種電源應用和電源線路中。另外，所使用的電路方式也多種多樣，除單獨使用外，還有串聯連接、并聯連接等多種使用方法。
2022-02-11
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擔心柵極驅動器的絕緣能力？采用'BIER'測試吧
最新的寬帶間隙（WBG）半導體正走向最理想的狀態，也就是具有高電壓和低損耗的超快速切換，而現代的MOSFET和溝槽IGBT也可以有高dV/dt和di/dt。然而，下橋臂電路中的快速切換會將瞬態電壓耦合到柵極驅動電路，從而造成混亂或損壞，同時上橋臂柵極驅動器的信號和電源隔離還會受到應力影響。本文將探討這些影響、解釋如何減輕影響，以及評估應力和局部放電（PD）帶來的損傷的實驗結果。
2022-01-27
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IGBT和MOSFET該用誰？你選對了嗎？
半導體功率器件主要包括功率二極管、功率三極管、晶閘管、MOSFET、IGBT等。其中MOSFET和IGBT屬于電壓控制型開關器件，具有開關速度快、易于驅動、損耗低等優勢。IGBT全稱是絕緣柵極型功率管，是由雙極型三極管（BJT）和MOSFET組成的復合全控型電壓驅動式半導體功率器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和BJT的低導通壓降兩方面的優點。隨著新能源汽車、智能家電、5G、軌道交通等行業的興起，MOSFET和IGBT也迎來了發展的春天。
2022-01-26
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大功率二極管晶閘管知識連載——熱特性
功率二極管晶閘管廣泛應用于AC/DC變換器，UPS，交流靜態開關，SVC和電解氫等場合，但大多數工程師對這類雙極性器件的了解不及對IGBT的了解，為此我們組織了6篇連載，包括正向特性，動態特性，控制特性，保護以及損耗與熱特性。內容摘來自英飛凌《雙極性半導體技術信息》。
2022-01-26
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IGBT集電極電壓超過額定電壓會發生什么？
我們常常被告誡：實際應用中，IGBT集電極電壓絕對不能超過額定值，否則器件有可能被擊穿。然后有的同學并不死心：如果我只超了一點點呢，1210V就會擊穿嗎？如果只是一個非常短非常短，比如只有1us的脈沖呢？功率器件也沒那么脆弱啊對不對？
2022-01-25
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功率半導體冷知識：IGBT短路結溫和次數
英飛凌IGBT模塊開關狀態下最高工作結溫一般是150度，而IGBT7短時過載情況下的最高工作結溫可達175度。那么IGBT模塊一輩子都可以生活在這樣的舒適區享受人生嗎？
2021-12-28
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