-
Vishay為模壓鉭貼片電容器新增外形尺寸
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，為廣受歡迎的低ESR TR3高容量、高電壓模壓鉭貼片電容器新增一種W外形尺寸(EIA 7316)。新外形尺寸為7.3mm x 6.0mm，高3.45mm，使電容器的容量和電壓范圍擴展到現有A至E外形尺寸以外。
2011-05-04
-
Vishay擴大ORN薄膜模壓雙列直插式電阻網絡的阻值范圍
日前，Vishay Intertechnology, Inc宣布，該公司擴大了ORN系列薄膜模壓雙列直插式表面貼裝電阻網絡的阻值范圍。增強后的器件可提供49.9Ω～500kΩ范圍內的13種標準阻值，使設計者在相同的標準窄體SOIC鷗翼型封裝內可使用阻值更高或更低的電阻。
2011-05-03
-
Vishay發布新的鋁電容器在線選擇工具
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，在公司網站上推出新的鋁電容器在線選擇工具。這個工具能幫助設計者挑選適合其應用的器件，從而節省工作時間。
2011-04-29
-
Vishay官方網站發布日文、中文和韓文企業宣傳視頻
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，在公司網站上推出日文、中文和韓文的企業宣傳視頻。該視頻展示了Vishay的系列產品、設計和制造資源、可信賴的高品質元器件交付能力、廣泛的應用支持，以及遍布全球的供應鏈。
2011-04-27
-
IFSC系列:Vishay發布新款低外形、高電流電感器應用于平板電腦
日前，Vishay Intertechnology, Inc宣布，推出采用0806、1008、1111和1515外形尺寸的新系列低外形、高電流電感器---IFSC。IFSC器件具有低至1.0mm的超薄外形和高的最大頻率，提供0.47μH～47.0μH的標準感值。
2011-04-25
-
Vishay推出9款新系列雪崩整流器用于消費類產品
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，發布9款新系列低外形、表面貼裝的標準、快速和超快雪崩整流器---AS1Px、AS3Px和AS4Px標準整流器，AR1Px、AR3Px和AR4Px快速整流器，AU1Px、AU2Px和AU3Px超快整流器。整流器的雪崩容量達20mJ EAS，正向電流高達4A，采用節省空間的小尺寸SMP和SMPC封裝。
2011-04-19
-
Vishay發布三款采用小尺寸封裝的高性能單通道和雙通道負載開關
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出三款新的可在1.1V～5.5V電壓下工作的單通道和雙通道2A負載開關--- SiP32411、 SiP32413和SiP32414，器件在1.2V下的低開關導通電阻能夠提高效率，150μs的典型受控軟啟動斜率能夠限制涌入電流，使受控的啟動過程更加平滑，從而將開關噪聲降至最小。
2011-04-15
-
LVB1560和LVB2560：Vishay推出高效的新款橋式整流器
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用GSIB-5S封裝的新款單相直排橋式整流器--- LVB1560和LVB2560。整流器的VF比前一代產品更低，在+125℃下只有0.73V，并可承受高正向浪涌電流。
2011-04-14
-
Vishay多款產品入選Design News最佳產品的最終評選名單
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其TANTAMOUNT? Hi-Rel COTS T97和商用的工業級597D系列固鉭貼片電容器，以及ThunderFET? SiR880DP 80V N溝道功率MOSFET入選2011年Design News雜志電子和測試類Golden Mousetrap Best Product的最終評選名單。
2011-04-13
-
ORNV系列:Vishay發布模壓雙列直插電阻分壓器適用于工業
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，發布新系列薄膜材料的模壓雙列直插電阻分壓器--ORNV系列。分壓器具有±0.05%的嚴格分壓比容差，在2000小時和+70℃條件下的分壓比穩定率特性(ΔR)為±0.015%，還具有±5PPM/oC的嚴格TCR跟蹤。ORNV系列中的器件由5個電阻組成4mm x 5mm的8引腳表面貼裝網絡，包括2個分壓器和1個參考電阻，具有比分立式SMT芯片更高的精度。
2011-04-12
-
Vishay提供免費在線脈沖能量計算器:Joule School
日前，Vishay Intertechnology, Inc宣布，在Vishay網站上推出可幫助設計者為其應用選擇合適的繞線電阻的免費在線脈沖能量計算器。
2011-04-06
-
SiR640DP/SiR662DP:Vishay Siliconix推出新款N溝道功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，發布新款40V和60V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiR640DP和SiR662DP。兩款器件采用SO-8或PowerPAK? SO-8封裝，具有業內最低的導通電阻，以及最低的導通電阻與柵極電荷乘積，即優值系數。
2011-04-01
- 貿澤與Cinch聯手發布全新電子書深入探討惡劣環境中的連接應用
- 自耦變壓器的構造和操作
- 電感器輸出，運算放大器輸入：二階有源濾波器簡介
- ESR 對陶瓷電容器選擇的影響（上）
- 步進電機中的脈寬調制與正弦控制
- 基于射頻無線電力傳輸供電的無電池資產跟蹤模塊的先進監控系統
- ESR 對陶瓷電容器選擇的影響（下）
- 深化綠色承諾，ST與彭水共繪可持續發展新篇章
- 基于SiC的高電壓電池斷開開關的設計注意事項
- 如何更好對微控制器和輸出外設進行電氣隔離？
- 意法半導體公布2024年第四季度及全年財報和電話會議時間安排
- IGBT 模塊在頗具挑戰性的逆變器應用中提供更高能效
- 車規與基于V2X的車輛協同主動避撞技術展望
- 數字隔離助力新能源汽車安全隔離的新挑戰
- 汽車模塊拋負載的解決方案
- 車用連接器的安全創新應用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
