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為何eMMC芯片磨損導致MCU和車輛無法正常運作？
ODI最近對較舊的Teslas Model S和Model X車輛提出的信息要求突顯了工作負載疏忽，其中基于NVIDIA Tegra 3處理器和集成8GB eMMC NAND閃存的主控制單元（MCU）遇到了問題。
2021-01-13
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貿澤與兆易創新簽署全球分銷協議，備貨多款高性能存儲器產品
2020年2月27日 – 專注于引入新品的全球電子元器件授權分銷商貿澤電子 (Mouser Electronics) 宣布與知名的非易失性存儲器解決方案供應商兆易創新 (GigaDevice) 簽署全球分銷協議并達成合作伙伴關系。簽署此項協議后，貿澤電子現已成為兆易創新SPI NOR、SPI NAND和Parallel NAND Flash產品的授權分銷商，這些器件適用于汽車、消費電子、物聯網 (IoT)、工業、移動設備、計算、網絡和通信等嵌入式應用。
2020-02-28
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慧榮科技將于2018中國閃存峰會上展出最新存儲主控芯片解決方案
全球NAND閃存主控芯片設計與營銷領導品牌慧榮科技，將于9月19日在深圳舉辦的“2018中國閃存市場峰會（China Flash Market Summit）〞展示全系列最新主控芯片解決方案來滿足全方位巿場需求，其包括專為數據中心、超高速Client SSD及適用于BGA SSD的PCIe SSD主控芯片為全方位存儲市場帶來最完整的解決方案，此外支持高速移動存儲方案，慧榮將展示UFS 2.1主控芯片為移動設備提供無與倫比的高性能、大容量的嵌入式存儲解決方案，將主流市場上的移動存儲提高到新檔次。
2018-09-20
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慧榮科技榮獲中國財經峰會“2017年度最具影響力企業大獎”
2017年11月30日，中國北京——在設計和推廣固態存儲設備專用NAND閃存控制器方面處于全球領導地位的慧榮科技公司（Silicon Motion Technology Corporation, 納斯達克交易代碼: SIMO）日前榮獲2017年中國財經峰會·冬季論壇組委會頒發的“2017年度最具影響力企業大獎”，以表彰其多年來在閃存控制芯片領域所做出的杰出貢獻。頒獎典禮于今日在北京舉行，慧榮科技市場營銷暨OEM事業資深副總段喜亭先生出席典禮。
2017-12-01
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DRAM與NAND差別這么大，存儲之爭在爭什么？
DRAM（Dynamic Random Access Memory），即動態隨機存取存儲器，最為常見的系統內存。DRAM 只能將數據保持很短的時間。為了保持數據，DRAM使用電容存儲，所以必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的信息就會丟失。
2017-03-22
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大象關冰箱？NAND FLASH控制器磨損管理算法芯片化硬實現
目前，存儲領域包括eMMC，SATA SSD ,PCIe SSD等控制器是一個非常熱門的領域。通常，由于NAND FLASH易于損壞的特性，因此需要控制器做額外的工作，才能滿足商用可靠存儲的需要。本文目的提出一種可以硬實現的均衡磨損，壞塊管理，以及邏輯地址映射的算法，（可芯片化）。用于替代處理器的軟件（FTL）實現，從總體上較CPU固件實現有較好的功耗比和高速性能的目標。
2016-02-25
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揭秘手機內存真相：實際少于16G為何要標稱有16G內存？
目前市面上的大容量存儲介質分別是NAND FLASH和eMMC這兩種，這就是各類移動終端及手機的主要存儲介質。這兩者有何區別，存儲芯片的實際大小與標稱值又有什么關系呢？為什么實際容量往往會比標示的少呢？
2016-01-19
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用圖來說話，解答Android設備處理器最大懸念：內核越多性能越強？
日前，來自Anandtech的多位極客進行了一場關于移動芯片核心性能的大規模測試，為Android智能手機是否核心越多性能就越強這一充滿爭議的話題蓋棺定論。
2015-09-07
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閃存是什么？
閃存是什么？今天我們就一起來學習閃存的知識。本文主要講解的內容有閃存簡介和閃存的概念和閃存的技術及特點以及決定NAND型閃存的因素有哪些和閃卡的優點這些內容。接下來就為大家講解相關的知識。
2013-06-29
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集成電路的發展
根據小編所了解早在1830年，科學家已于實驗室展開對半導體的研究。他們最初的研究對像是一些在加熱后電阻值會增加的元素和化合物。這些物質有一共同點，當它們被光線照射時，會容許電流單向通過，我們可藉此控制電流的方向，稱為光電導效應。在無線電接收器中，負責偵測訊息的整流器，就是一種半導體電子儀器的例子。德國的Ferdinand Braun利用了半導體方鉛礦，一種硫化鉛化合物的整流特性，創制世上第一臺整流偵測器，后世俗稱為貓胡子的偵測器。基于半導體的整流特性，我們能在整流偵測器內的金屬接觸面和半導體間建立起一電勢差，令電子在某一方向流動時為“順流而下”，反之則“逆流而上”。至此，半導體電子儀器起始面世。
2012-12-02
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NOR和NAND比較有何不同
NOR和NAND比較有何不同
2012-11-19
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三大因素促USB 3.0需求明年將明顯增長
TrendForce預期NAND Flash合約價的上漲動將持續至11月份，10月下旬合約價格仍上漲了7-12%,但11月過后的價格走勢面臨較大的下滑壓力。同時受三大因為影響USB 3.0市場將自明年開始加溫。
2012-11-01
- 學子專區 － ADALM2000實驗：多相濾波電路
- 如何使用高性能監控電路來提高工業功能安全合規性？
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