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橋式結構中的柵極-源極間電壓的行為：導通時
在功率開關器件最常見的應用中，包括與上一篇文章中提到的雙脈沖測試電路相同的橋式結構。對于橋式結構情況下的柵-源電壓的行為，在Tech Web基礎知識SiC功率元器件的“SiC MOSFET：橋式結構中柵極-源極間電壓的動作”和這篇文章所依據的應用指南“橋式結構中柵極-源極電壓的行為”中，介紹了相互影響的動作情況。
2022-11-16
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讓電動汽車牽引逆變器設計更靈活，成本更優的反激控制器
在全球氣候變暖和和雙碳的背景下，以電能驅動車輛的交通方式在未來出行將占據主要地位。牽引逆變器（Traction Inverter）作為新能源汽車中重要的信號和能量傳遞部件，將動力電池輸出的直流電逆變為三相交流電驅動電機，同時接收來自整車控制器和控制機構（制動踏板、油門踏板、換擋機構）的信息對電機的工作加以控制。德州儀器可在此應用中提供符合AEC-Q100 標準的反激控制器電源方案。
2022-11-11
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Interlock互鎖電路在不同驅動器下的實現
在電機驅動、逆變電源等應用中，橋式電路是最基本的拓撲，典型三相橋式逆變電路如下圖1所示。而橋式電路中的任一橋臂，其上下管一般采用180°導通方式，即上下管互補開關，為避免上下管直通，可采用插入死區的方式把上下管導通時刻錯開。但是，實際應用中微控制器可能因為程序錯亂或上電過程中IO默認高電平等原因，使得上下管驅動信號同時為高電平（有效電平），從而上下管發生同時導通（Shoot Through），這將可能帶來燒壞功率模塊的嚴重后果。Interlock即互鎖電路就是針對該工況而設計的，可有效提高系統可靠性。
2022-11-09
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基于DRV824X-Q1系列的TEC控制系統
在聚合酶鏈式反應（Polymerase chain reaction, PCR）設備中，需要通過控制試管內的溫度使得管內的DNA進行高溫變性（將DNA解螺旋為雙鏈DNA）、低溫退火（將引物與模板DNA進行互補配對）、中溫延伸（在恒溫的作用下進行擴增）。圖1展示了NDA復制的溫度控制周期。
2022-11-09
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貿澤與ST合作推出新電子書，探討響應式邊緣人工智能的未來
2022年11月3日 – 專注于推動行業創新的知名新品引入 (NPI) 分銷商?貿澤電子 (Mouser Electronics) 宣布與STMicroelectronics (ST) 合作推出新電子書《Intelligence at the Edge》（邊緣智能），探討部署在邊緣的人工智能 (AI) 與機器學習 (ML) 的新發展。書中來自貿澤和ST的主題專家深入分析了邊緣AI和ML開發的挑戰和應用，其精選文章涵蓋智能傳感器、嵌入式神經網絡和響應式AI等主題。
2022-11-03
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2022年“創造未來”設計大賽圓滿成功
2022年11月1日 – 全球電子元器件授權分銷商和“創造未來”設計大賽贊助商貿澤電子 (Mouser Electronics) 向2022年大賽獲勝團隊表示祝賀，特別頒獎晚宴將于11月份舉行。這是SAE International 公司旗下的SAE Media Group主辦的第20屆年度大賽，由貿澤與其重要供應商Intel?和Analog Devices, Inc共同贊助。
2022-11-01
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[技術淺談 TechTalk] TVS簡介
PN結二極管具有正向導通，反向關斷的特性，通過不同的材料、摻雜、外延以及工藝的改進使其廣泛應用于電力電子行業功率變換與電路保護，TVS二極管具有響應速度快、漏電流小、鉗位電壓穩以及無壽命衰減的特性，從小到信號線靜電防護，大到電力系統抗雷擊浪涌，TVS都發揮著至關重要的作用。本章對TVS工作機理與核心參數展開分析，供產品選型參考。
2022-10-31
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ADI和Keysight Technologies強強聯手 共推相控陣技術加速部署
中國，北京–2022年10月17日–Analog Devices, Inc (Nasdaq: ADI)和Keysight Technologies, Inc. (NYSE: KEYS)宣布合作，共同加速相控陣技術的推廣與部署。相控陣技術能夠簡化與創建衛星通信、雷達和相控陣系統相關的開發工作，是實現無處不在的連接和泛在檢測的關鍵。
2022-10-18
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瑞薩電子完成對Steradian的收購
2022 年 10 月 17 日，日本東京訊 - 全球半導體解決方案供應商瑞薩電子（TSE：6723）今日宣布，截至2022年10月17日已完成對提供4D成像雷達解決方案的無晶圓半導體公司Steradian Semiconductors Private Limited（“Steradian”）的收購。
2022-10-18
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測量SiC MOSFET柵-源電壓時的注意事項：一般測量方法
SiC MOSFET具有出色的開關特性，但由于其開關過程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎知識 SiC功率元器件“SiC MOSFET：橋式結構中柵極－源極間電壓的動作-前言”中介紹的需要準確測量柵極和源極之間產生的浪涌。在這里，將為大家介紹在測量柵極和源極之間的電壓時需要注意的事項。我們將以SiC MOSFET為例進行講解，其實所講解的內容也適用于一般的MOSFET和IGBT等各種功率元器件，盡情參考。
2022-10-11
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助推電動汽車發展的新動力：Soitec 的 SmartSiC?
如果說人類世界當前面臨的最緊迫危機是如何降低二氧化碳排放量，以減緩已經造成的災難性環境破壞以及人口損害，那么，在當前的地球溫室氣體排放中，交通業的“貢獻”最大，傳統上它已被視為重要的污染源。
2022-10-11
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貿澤推出各種Microchip創新MCU解決方案，為嵌入式系統工程師提供更多支持
2022年9月21日 – 專注于引入新品并提供海量庫存?的電子元器件分銷商貿澤電子 (Mouser Electronics) 持續為嵌入式系統工程師提供一系列支持資源。作為Microchip Technology解決方案的全球授權分銷商，貿澤備有其新一代MCU、混合信號、模擬和閃存IP解決方案，以降低各類應用的產品開發風險并加快上市。貿澤還為工程師提供了電子書等豐富的Microchip資源，為設計提供支持。
2022-10-01
- 貿澤與Cinch聯手發布全新電子書深入探討惡劣環境中的連接應用
- 自耦變壓器的構造和操作
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