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第1講：三菱電機功率器件發展史
三菱電機從事功率半導體開發和生產已有六十多年的歷史，從早期的二極管、晶閘管，到MOSFET、IGBT和SiC器件，三菱電機一直致力于功率半導體芯片技術和封裝技術的研究探索，本篇章帶你了解三菱電機功率器件發展史。
2024-08-01
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觀眾登記開啟｜elexcon2024深圳國際電子展8月27-29日約您來見，20+重磅活動與數千新品引爆AI+技術生態
elexcon2024深圳國際電子展將于2024年8月27日至29日在深圳會展中心（福田）開幕。展會為電子產業復蘇以及AI時代到來準備好了全棧技術和產品展示，包括AI芯片、嵌入式處理器/MCU/MPU、存儲、智能傳感、RISC-V技術與生態、AIoT方案、無源器件/分立器件、PMIC與功率器件、Chiplet和SiP先進封裝等。
2024-07-18
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功率器件模塊：一種滿足 EMI 規范的捷徑
相鄰或共用導電回路的電子器件容易受到電磁干擾 (EMI) 的影響，使其工作過程受到干擾。要確保各電氣系統在同一環境中不干擾彼此的正常運行，就必須最大限度地減少輻射。通常，由于硅 (Si) IGBT 和碳化硅 (SiC) MOSFET 等功率半導體器件在工作期間需要進行快速開關，因此通常會產生傳導型 EMI。在開關狀態轉換過程中，器件兩端的電壓和流經器件的電流會迅速改變狀態。開、關狀態間變化會產生 dv/dt 和 di/dt，從而在開關頻率的諧波頻率上產生 EMI。
2024-07-08
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意法半導體在意大利打造世界首個一站式碳化硅產業園
服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體 (STMicroelectronics, 簡稱ST; 紐約證券交易所代碼: STM)，宣布將在意大利卡塔尼亞打造一座集8英寸碳化硅(SiC)功率器件和模塊制造、封裝、測試于一體的綜合性大型制造基地。通過整合同一地點現有的碳化硅襯底制造廠，意法半導體將打造一個碳化硅產業園，實現公司在同一個園區內全面垂直整合制造及量產碳化硅的愿景。新碳化硅產業園的落地是意法半導體的一個重要里程碑，將幫助客戶借助碳化硅在汽車、工業和云基礎設施等領域加速電氣化，提高能效。
2024-06-08
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吉利汽車與意法半導體簽署碳化硅長期供應協議，深化新能源汽車轉型，推動雙方創新合作
服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)與全球汽車及新能源汽車龍頭制造商吉利汽車集團(香港交易所代碼: HK0175)宣布，雙方簽署碳化硅(SiC)器件長期供應協議，在原有合作基礎上進一步加速碳化硅器件的合作。按照協議規定，意法半導體將為吉利汽車旗下多個品牌的中高端純電動汽車提供SiC功率器件，幫助吉利提高電動車性能，加快充電速度，延長續航里程，深化新能源汽車轉型。此外，吉利和ST還在多個汽車應用領域的長期合作基礎上，建立創新聯合實驗室，交流與探索在汽車電子/電氣（E/E）架構（如車載信息娛樂、智能座艙系統）、高級駕駛輔助（ADAS）和新能源汽車等相關領域的創新解決方案。
2024-06-06
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使用 GaN IC 離線電源的大容量電容器優化
額定功率75W以下的適配器可細分為：輸入濾波器、二極管整流器、輸入輸出電容器、IC控制器、輔助電源、磁性元件、功率器件和散熱器。集成解決方案在縮小和簡化轉換器方面已經取得了長足的進步，目前的剩余組件是磁性元件、輸入“大容量”電容器、輸出電容器和 EMI 輸入級。大量的研究和工程工作集中在高頻交流/直流轉換器設計上，以減小磁性元件的尺寸。然而，輸入大容量電容器占據與適配器內的磁性元件相同或更大的體積。
2024-05-07
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測試共源共柵氮化鎵 FET
Cascode GaN FET 比其他類型的 GaN 功率器件更早進入市場，因為它可以提供常關操作并具有更寬的柵極驅動電壓范圍。然而，電路設計人員發現該器件在實際電路中使用起來并不那么容易，因為它很容易發生振蕩，并且其器件特性很難測量并獲得可重復的提取。許多設計人員在電路中使用大柵極電阻時必須減慢器件的運行速度，這降低了使用快速 GaN 功率器件的優勢。
2024-04-07
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雙脈沖測試（DPT）的方法解析
雙脈沖測試（DPT）是一種被廣泛接受的評估功率器件動態特性的方法。以IGBT在兩電平橋式電路中應用為例，如下圖，通過調節直流母線電壓和第一個脈沖持續時間，可以在第一個脈沖結束和第二個脈沖開始時捕捉到被測器件在任何所需的電壓和電流條件下的開關瞬態行為。
2024-03-19
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談談SiC MOSFET的短路能力
在電力電子的很多應用，如電機驅動，有時會出現短路的工況。這就要求功率器件有一定的扛短路能力，即在一定的時間內承受住短路電流而不損壞。目前市面上大部分IGBT都會在數據手冊中標出短路能力，大部分在5~10us之間，例如英飛凌IGBT3/4的短路時間是10us，IGBT7短路時間是8us。而 大 部 分 的 SiC MOSFET 都 沒 有 標 出 短 路 能 力 ， 即 使 有 ， 也 比 較 短 ， 例 如 英 飛 凌 的CoolSiCTM MOSFET單管封裝器件標稱短路時間是3us，EASY封裝器件標稱短路時間是2us。
2024-02-01
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I-NPC三電平電路的雙脈沖及短路測試方法
雙脈沖測試(DPT)是一種被廣泛接受的評估功率器件動態特性的方法。以IGBT在兩電平橋式電路中應用為例，如下圖，通過調節直流母線電壓和第一個脈沖持續時間，可以在第一個脈沖結束和第二個脈沖開始時捕捉到被測器件在任何所需的電壓和電流條件下的開關瞬態行為。DPT結果量化了功率器件的開關性能，并為功率變換器的設計（如開關頻率和死區時間的確定、熱管理和效率評估）提供了參考依據，那么對于三電平電路，雙脈沖測試需要怎么做呢？
2024-01-24
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?碳化硅助力實現 PFC 技術的變革
碳化硅（SiC）功率器件已經被廣泛應用于服務器電源、儲能系統和光伏逆變器等領域。近些年來，汽車行業向電力驅動的轉變推動了碳化硅（SiC）應用的增長， 也使設計工程師更加關注該技術的優勢，并拓寬其應用領域。
2024-01-03
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泰克助力汽車測試及質量監控實現效率和創新最大化
對于功率器件工程師而言，最大限度降低開關損耗是一項嚴峻挑戰，尤其對于那些使用碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 器件的工程師更是如此。這種先進材料有望提高效率，但也有其自身的復雜性。測量硅 (Si)、碳化硅 (SiC) 和氮化鎵金屬氧化物半導體場效應晶體管 (GaN MOSFET) 和絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 的開關參數，并評估其動態行為的標準方法是雙脈沖測試 (DPT)。
2023-12-05
- 意法半導體與英諾賽科簽署氮化鎵技術開發與制造協議
- 貿澤電子開售Molex的航空航天解決方案
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