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圖1：三菱電機功率器件發(fā)展史

20世紀(jì)60年代，三菱電機推出了大功率二極管和晶閘管產(chǎn)品。晶閘管在電力電子產(chǎn)品的現(xiàn)代化進(jìn)程中發(fā)揮了重要作用，并不斷朝著更高的耐壓和更大的電流發(fā)展。20世紀(jì)80年代，晶閘管從沒有自滅弧功能的逆阻晶閘管發(fā)展到自滅弧型GTO（Gate Turn Off）晶閘管，這種晶閘管即使在直流電路中也能通過向柵極施加負(fù)壓信號，使其從開啟狀態(tài)變?yōu)殛P(guān)閉狀態(tài)。此外，GCT（Gate Commutated Turn off）晶閘管繼承了GTO晶閘管的基本結(jié)構(gòu)，并顯著降低了柵極的阻抗，實現(xiàn)了高速運行和高關(guān)斷性能。SGCT（Symmetrical Gate Commutated Turn off）晶閘管單元是一種具有反向阻壓能力的GCT晶閘管，通過集成經(jīng)過優(yōu)化設(shè)計的柵極驅(qū)動器，充分發(fā)揮GCT晶閘管的性能，同時有助于降低系統(tǒng)設(shè)計難度。

20世紀(jì)80年代，三菱電機開發(fā)了MOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）模塊和IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）模塊。MOSFET具有高速開關(guān)、電壓型驅(qū)動和低損耗等優(yōu)點，廣泛應(yīng)用于各類中小功率電力電子變換電路。IGBT集合了MOSFET的驅(qū)動功率小、開關(guān)速度快和BJT通態(tài)壓降小、載流能力大的優(yōu)點，成為現(xiàn)代電力電子技術(shù)的主要器件，在中大功率電源應(yīng)用中占重要地位。

圖2：IGBT芯片發(fā)展路線圖

第7代IGBT模塊結(jié)構(gòu)如圖3所示，采用了直接環(huán)氧灌封（Direct Potting）樹脂和一體化絕緣金屬基板IMB（Insulated Metal Baseplate），去掉了絕緣層和金屬底板之間焊接層，大大提高了IGBT模塊的熱循環(huán)能力。在此基礎(chǔ)上開發(fā)的工業(yè)LV100封裝IGBT（圖4），涵蓋多個電壓等級（已有1.2kV、1.7kV和2kV），具有更高電流密度、更高可靠性，適合光伏、風(fēng)電、制氫電源及電機驅(qū)動等多個場合。

圖5：IPM內(nèi)部框圖

最新G1系列IPM如圖6，采用與第7代IGBT模塊相同的IGBT芯片和二極管芯片技術(shù)，實現(xiàn)極低損耗。除了傳統(tǒng)IPM的控制電源欠壓保護(hù)UV（Under Voltage protection）、短路保護(hù)SC（Short Circuit）和過熱保護(hù)OT（Over Temperature）外，G1系列還增加了開關(guān)速度切換和故障識別功能，有助于提高逆變器設(shè)備的性能和可靠性。

1996年，三菱電機HVIGBT開始推向市場，憑借其優(yōu)異的性能和高可靠性，在鐵路、電力傳輸?shù)阮I(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。經(jīng)過不斷地優(yōu)化改進(jìn)，三菱電機陸續(xù)推出了H系列、R系列、X系列，電壓范圍涵蓋1.7kV到6.5kV，IGBT電流等級不斷擴大。

三菱電機最新X系列HVIGBT模塊全系列最高運行結(jié)溫至150℃，通過優(yōu)化芯片終端設(shè)計和封裝內(nèi)部結(jié)構(gòu)，增強散熱性、防潮性和阻燃性，提高產(chǎn)品運行可靠性。共包含2類封裝，標(biāo)準(zhǔn)封裝HVIGBT如圖7，LV100/HV100封裝見圖8。

圖10：DIPIPM?外觀

自第1代DIPIPM?誕生以來，伴隨著IGBT芯片一代代技術(shù)的發(fā)展和封裝技術(shù)的不斷改進(jìn)，三菱電機也對DIPIPM?產(chǎn)品不斷進(jìn)行升級換代，至今已發(fā)展至第7代DIPIPM?，封裝形式也發(fā)展到小型、超小型、SLIMDIP?、SOPIPM?和DIPIPM+?，不斷致力于為客戶提供更高能效、更高集成度、更智能化、更高功率密度和更高性價比的產(chǎn)品。

1997年，三菱電機就將電動汽車專用功率模塊成功用于HEV，積累了大批量生產(chǎn)和應(yīng)用的經(jīng)驗，截至2023年底，已有2900萬臺裝載了三菱電機功率芯片或功率模塊的電動汽車在路上運行。從第5代開始，三菱電機采用T-PM（Transfer-mold Power Module）壓注模封裝技術(shù)，使用環(huán)氧樹脂灌封代替?zhèn)鹘y(tǒng)硅凝膠灌封，提高了抗振性和模塊安裝方向的自由度。J1A系列IGBT模塊采用了DLB（Direct Lead Bonding）連接工藝，把銅端子（銅框架）綁定到芯片上，使芯片溫度分布更均勻，降低了最高溫度，從而改善功率循環(huán)壽命。

最新J3系列車載功率模塊，同樣采用高可靠、易批量生產(chǎn)的壓注模封裝，同一封裝兼容RC-IGBT和SiC MOSFET，支持高速開關(guān)和并聯(lián)應(yīng)用，將幫助客戶進(jìn)一步提升電動汽車的功率密度和續(xù)航里程。J3-HEXA-S有三個J3-T-PM，J3-HEXA-L有六個J3-T-PM（圖11），兩者都配備專有的散熱片，以適應(yīng)xEV逆變器的不同功率段設(shè)計。

圖11：J3-T-PM、J3-HEXA-S、J3-HEXA-L

三菱電機從1994年開始SiC相關(guān)技術(shù)研究，已經(jīng)擁有30年的經(jīng)驗。在1994年至2004年的第1個10年中，研發(fā)工作主要針對SiC MOSFET和SiC SBD等芯片技術(shù)本身。2005年至2009年，三菱電機將開發(fā)重點集中到了SiC功率模塊的應(yīng)用，為此，三菱電機設(shè)計并評測了多種應(yīng)用場合的基于SiC功率器件的逆變器。2010年至2014年，SiC功率模塊開始商業(yè)化，在此期間，三菱電機推出了多種類型的第1代全SiC功率模塊和混合SiC功率模塊。

目前，6英寸第2代平面柵SiC MOSFET穩(wěn)定量產(chǎn)中，第3代SBD嵌入式SiC MOSFET和第4代溝槽柵SiC MOSFET將逐步被采用。從600V到3300V，數(shù)十款SiC功率模塊已在家電、工業(yè)、新能源、汽車和牽引等領(lǐng)域獲得商業(yè)化應(yīng)用。新推出的3300V，200A/400A/800A Unifull?系列SiC MOSFET模塊（圖12）可顯著降低開關(guān)損耗并提高其性能。