-
硅基氮化鎵在射頻市場的應(yīng)用日益廣泛
氮化鎵技術(shù)將繼續(xù)在國防和電信市場提供高性能和高效率。射頻應(yīng)用目前主要是碳化硅基氮化鎵（GaN-on-SiC）器件。雖然硅基氮化鎵（GaN-on-Si）目前不會威脅到碳化硅基氮化鎵的主導地位，但它的出現(xiàn)將影響供應(yīng)鏈，并可能影響未來的電信技術(shù)。
2023-09-21
-
長電科技鄭力：高性能先進封裝創(chuàng)新推動微系統(tǒng)集成變革
第24屆電子封裝技術(shù)國際會議(ICEPT2023)于近日在新疆召開,來自海內(nèi)外學術(shù)界和產(chǎn)業(yè)界超700名專家學者、研究人員、企業(yè)人士齊聚一堂,共話先進封裝技術(shù)創(chuàng)新、學術(shù)交流與國際合作。長電科技董事、首席執(zhí)行長鄭力出席會議,發(fā)表《高性能先進封裝創(chuàng)新推動微系統(tǒng)集成變革》主題演講。
2023-09-21
-
AMD蘇姿豐：AI對未來芯片設(shè)計十分重要，已列為戰(zhàn)略重點
據(jù)wccftech消息，AMD CEO蘇姿豐參加了在上海舉行的2023世界人工智能大會（WAIC），她在大會上表示，人工智能技術(shù)是未來芯片開發(fā)的發(fā)展方向，可以在測試和驗證階段提供幫助。
2023-09-21
-
提升直流穩(wěn)壓電路的效率并降低噪聲
在高效率非常重要的場合，開關(guān)穩(wěn)壓器是電壓調(diào)節(jié)的理想選擇。但是，開關(guān)穩(wěn)壓器仍然會消耗一些能量，而且開關(guān)噪聲可能是一個挑戰(zhàn)。利用 Analog Device 的直通特性，用戶可以實現(xiàn)效率的顯著提升和無噪聲運行。負載對電壓波動的承受能力越強，潛在效益越大。
2023-09-20
-
使用電荷泵驅(qū)動外部負載
CS5521/23、CS5522/24/28 和 CS5525/26 系列 A/D 轉(zhuǎn)換器包含斬波穩(wěn)定儀表放大器，用于測量低電平直流信號（±100 mV 或更小）。該放大器設(shè)計用于產(chǎn)生非常低的輸入采樣電流（在 -40 至 +85?C 范圍內(nèi)，ICVF < 300 pA）。當使用高阻抗電路進行輸入保護時，低輸入電流可限度地減少熱電偶測量中可能出現(xiàn)的誤差，如圖 1 所示。
2023-09-20
-
IGBT驅(qū)動芯片進入可編程時代，英飛凌新品X3有何玄機？
俗話說，好馬配好鞍，好IGBT自然也要配備好的驅(qū)動IC。一顆好的驅(qū)動不僅要提供足夠的驅(qū)動功率，最好還要有完善的保護功能，例如退飽和保護、兩電平關(guān)斷、軟關(guān)斷、欠壓保護等，為IGBT的安全運行保駕護航。
2023-09-19
-
如何更好的使用EiceDRIVER IC驅(qū)動SiC MOSFET
碳化硅（SiC MOSFET）和氮化鎵(GaN)因其高頻率、低損耗的特性得到廣泛的應(yīng)用，但對驅(qū)動系統(tǒng)的性能提出了更高的要求。英飛凌最新一代增強型EiceDRIVER? 1ED34X1系列可提供高的輸出電流、米勒鉗位保護、精準的短路保護、可調(diào)的軟關(guān)斷等功能，為新一代的功率器件保駕護航。
2023-09-18
-
如何在有限空間里實現(xiàn)高性能？結(jié)合最低特定RDS(On)與表面貼裝技術(shù)是個好方法！
SiC FET在共源共柵結(jié)構(gòu)中結(jié)合硅基MOSFET和SiC JFET，帶來最新寬帶隙半導體技術(shù)的性能優(yōu)勢，以及成熟硅基功率器件的易用性。SiC FET現(xiàn)可采用表面貼裝TOLL封裝，由此增加了自動裝配的便利性，同時減少了元件尺寸，并達成出色的熱特性，在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中實現(xiàn)了功率密度最大化和系統(tǒng)成本最小化。
2023-09-18
-
X-FAB最新的無源器件集成技術(shù)擁有改變通信行業(yè)游戲規(guī)則的能力
中國北京，2023年9月14日——全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，新增集成無源器件（IPD）制造能力，進一步增強其在射頻（RF）領(lǐng)域的廣泛實力。公司在歐洲微波展（9月17至22日，柏林）舉辦前夕推出XIPD工藝；參加此次活動的人員可與X-FAB技術(shù)人員（位于438C展位）就這一創(chuàng)新進行交流。
2023-09-18
-
SiC功率半導體市場，如何才能成為頭部玩家？
在功率電子領(lǐng)域，要論如今炙手可熱的器件，SiC要說是第二，就沒有人敢說第一了。隨著原有的Si基功率半導體器件逐漸接近其物理極限，由第三代SiC功率器件接棒來沖刺更高的性能，已經(jīng)是大勢所趨。
2023-09-15
-
貿(mào)澤和Bourns聯(lián)手推出新電子書，介紹無源元件在電子設(shè)計中日益重要的作用
2023年9月14日 – 提供超豐富半導體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 與Bourns, Inc.合作發(fā)布了一本新電子書，探討無源元件在可再生能源、混動汽車和電動汽車等新興電子應(yīng)用中的作用。
2023-09-15
-
如何選擇和開始使用功率器件驅(qū)動器
所有的分立式開關(guān)功率器件都需要驅(qū)動器，無論這些器件是分立式金屬氧化物硅場效應(yīng)晶體管 (MOSFET)、碳化硅 (SiC) MOSFET、絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) 還是模塊。驅(qū)動器是系統(tǒng)處理器的低電壓、低電流輸出端與開關(guān)器件之間的接口元件或“橋梁”，前者在受控的良好環(huán)境中運行，而后者則在惡劣條件下工作，對電流、電壓和定時有著嚴格的要求。
2023-09-14
- 是否存在有關(guān) PCB 走線電感的經(jīng)驗法則？
- 一文看懂電壓轉(zhuǎn)換的級聯(lián)和混合概念
- 第12講：三菱電機高壓SiC芯片技術(shù)
- 準 Z 源逆變器的設(shè)計
- 貿(mào)澤電子持續(xù)擴充工業(yè)自動化產(chǎn)品陣容
- 低功耗嵌入式設(shè)計簡介
- 如何通過基本描述找到需要的電容？
- 意法半導體公布2024年第四季度及全年財報和電話會議時間安排
- IGBT 模塊在頗具挑戰(zhàn)性的逆變器應(yīng)用中提供更高能效
- 看完CES看CITE 2025開年巨獻“圳”聚創(chuàng)新
- 傳感器和轉(zhuǎn)換器的設(shè)計應(yīng)用
- 原來為硅MOSFET設(shè)計的DC－DC控制器能否用來驅(qū)動GaNFET?
- 車規(guī)與基于V2X的車輛協(xié)同主動避撞技術(shù)展望
- 數(shù)字隔離助力新能源汽車安全隔離的新挑戰(zhàn)
- 汽車模塊拋負載的解決方案
- 車用連接器的安全創(chuàng)新應(yīng)用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
