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Stack與NICT共同開發出新型電場探測器 可準確測量出微小電場
日本Stack電子開發出了可準確測量微小電場分布狀態的光外差法光電效應電場探測器“LEO-Probe”。該產品采用日本信息通信研究機構（NICT）轉讓的技術開發，適用于電子設備的EMC測量、天線附近的電場測量、開發高頻電路時的驗證作業、高速/高密度電路的放射電場測量以及超高速半導體的運行狀態分析等。
2009-11-27
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ACS710：Allegro推出120kHz帶寬的電流傳感器
ACS710 120-kHz帶寬高壓隔離電流傳感器IC主要針對工業、商業以及通信系統。器件由精確線性霍爾傳感器和位于硅芯片表面附件的銅導體組成。性能包括用于低功耗和用戶可調的過流故障電平的3~5.5V單電源運行1mΩ初級導體電阻。
2009-11-26
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顯示器有望成為MEMS飛速增長的引擎
MEMS(Micro-Electro-Mechanical Systems)是微機電系統的縮寫。MEMS是美國的叫法，在日本被稱為微機械，在歐洲被稱為微系統。MEMS主要包括微型機構、微型傳感器、微型執行器和相應的處理電路等幾部分，它是在融合多種微細加工技術，并應用現代信息技術的最新成果的基礎上發展起來的高科技前沿學科。
2009-11-26
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柯尼卡美能達將投建有機EL照明產品試產線
柯尼卡美能達控股（Konica Minolta Holdings）近日宣布，將投入35億日元建設用于確立有機EL照明產品生產技術的試產線（Pilot Line）。預定在2010年秋季完成建設，目標是在2010年度內開始限量銷售。“
2009-11-25
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FDFMA2P859T:飛兆半導體推出行業領先的薄型封裝MOSFET
飛兆半導體公司(Farichild Semiconductor)宣布其MicroFET現推出行業領先的薄型封裝版本，幫助設計人員提升其設計性能。飛兆半導體與設計工程師和采購經理合作，開發了集成式P溝道PowerTrench? MOSFET與肖特基二極管器件FDFMA2P859T，利用單一封裝解決方案，滿足對電池充電和功率多工(power-multiplexing)應用至關重要的效率和熱性能需求。
2009-11-25
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IMEC開發的硅納米線太陽能電池使轉換效率達30％以上
在太陽能電池領域，瞄準下下代太陽能電池的各種構想不斷涌現。其中一種設想是在底板上排列細線狀的硅（硅納米線）。包括美國通用電氣（General Electric）在內，目前世界各地都在進行開發。
2009-11-25
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IC燒錄新境界
——浦洛電子精彩亮相深圳高交會在剛剛閉幕的第十一屆中國國際高新技術成果交易會上，深圳浦洛電子攜多款編程器/燒錄器和自主研發的自動化/半自動化編程器產品精彩亮相，吸引了眾多參觀者駐足參觀。
2009-11-24
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配有新“2.0版”軟件的HARTING mCon交換機面市
隨著ICPN部分新產品Ha-VIS的問市，配有“2.02版”代碼新管理軟件的HARTING管理型mCON交換機系列產品正向市場進軍。除了新的功能和特性，所有以往1.3版的功能被大大地延展，并更適應市場需求的增加。
2009-11-24
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三星電子將耗資87億美元擴大LCD產能
根據報道，全球最大液晶面板廠韓國三星電子(Samsung Electronics)計劃以10兆韓元 (折合87億美元)，投入韓國Tangjung廠，以擴大面板生產。
2009-11-23
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Chipworks選用SensorDynamics傳感器
分析電子和半導體系統的專業公司Chipworks 已經選擇 SensorDynamics 提供的 SD755 慣性傳感器作為年度三大最具創意的MEMS 產品之一。
2009-11-23
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新款3.3伏XpressO XO LVDS振蕩器
日前，Fox Electronics 在其廣泛的 XpressO 晶體振蕩器系列增添了新型更小的3.3伏 XpressO XO LVDS 振蕩器。新款 FXO-LC33 系列 LVDS 振蕩器頻率范圍為 0.75MHz 至 1.35GHz，封裝尺寸為 3.2 mm x 2.5 mm，穩定性高達 ± 25ppm，頻率分辨率達到小數后六位。
2009-11-23
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內需拉動市場向好，被動元件走向綠色創新
2009年11月17-18日，2009國際被動元件技術與市場發展論壇（PCF2009）在深圳馬哥孛羅好日子酒店隆重召開，TDK、Vishay、村田、太陽誘電、泰科、3M、檳城電子、羅地亞、東營國瓷等眾多國內外知名被動元件企業與中國電子元件行業協會、iSuppli、Paumanok Publications 等組織機構齊齊亮相，與來自電子制造業的五百余名業界精英共同探討了被動元件行業技術動向和市場趨勢。
2009-11-20
- 貿澤與Cinch聯手發布全新電子書深入探討惡劣環境中的連接應用
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