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146 RTI：Vishay新系列高性能徑向鋁電容器
日前，Vishay宣布推出新系列徑向鋁電容器146 RTI，這些器件具有極低的阻抗值、高電容及高紋波電流，并可實現(xiàn)高達 +125°C 的高溫運行，適合面向工業(yè)、汽車、電信和軍事系統(tǒng)的開關電源 (SMPS) 及直流到直流電源中的平滑、濾波、緩沖及電壓退耦應用。
2009-02-18
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E102Z：VISHAY新型超高精度Z箔電阻
Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE: VSH) 近日推出新型超高精度 Bulk Metal Z 箔電阻 --- E102Z。該款電阻可在 ?55°C 到 +125°C 的溫度范圍內提供達軍品級標準的絕對 TCR 值 (±0.2 ppm/°C)，容差為 ±0.005% (50 ppm)，在 +70oC 下工作 2000 小時的負載壽命穩(wěn)定性達到 ±0.005% (50 ppm)。E102Z 符合EEE-INST-002規(guī)格和MIL-PRF 55182 軍用標準，設計用于非常規(guī)環(huán)境條件，漂移極小，適用于軍事、航空和醫(yī)療應用。
2009-02-13
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Vishay推出多款面向高端應用的Bulk Metal箔表面貼裝電阻
Vishay目前推出采用 Bulk Metal 箔技術制造的多款表面貼裝電阻，以實現(xiàn)最高端領域對器件高可靠性和高穩(wěn)定性的嚴苛要求。這次發(fā)布的器件中，包括新改進的 VSMP（0805 至 2512）系列、及VCS1625Z 和 CSM2512S 在內。
2009-02-13
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VSMG2720/5510：Vishay新型高功率高速紅外發(fā)射器
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布推出高功率、高速 830 nm 表面貼裝 PLCC2 和 5 mm (T1?) 的紅外發(fā)射器 --- VSMG2720和TSHG5510
2009-02-12
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300144Z/5Z：Vishay兩款新型超高精度Z箔分壓器電阻
日前，Vishay推出兩款新型超高精度Z箔分壓器電阻300144Z 和 300145Z。典型應用將包括以下設備中的高精度儀表放大器、橋接網絡及差分放大器：熱穩(wěn)定性、響應時間及長期穩(wěn)定性均至關重要的高端醫(yī)療、軍事、航空、自動測試及井下鉆探設備。
2009-02-11
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SMR3DZ: Vishay超高精度Z箔模塑表面貼裝電阻
Vishay 推出性能出色的高穩(wěn)定性超高精度Z箔模塑表面貼裝電阻，該器件具有不足1 秒的快速熱穩(wěn)定時間、±0.005% (50 ppm) 的負載壽命穩(wěn)定性、可“按照需要”的值（例如7kΩ 及7.5678kΩ）來提供，且無額外費用或出貨時間。
2009-02-11
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715CxxKT系列：Vishay螺釘安裝式高壓圓盤電容器
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新系列螺釘安裝式高電壓圓盤電容器，這些器件為設計人員提供了多種直徑和電容值選擇，其額定電壓為 10kVDC～40kVDC。
2009-02-10
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P11P/D：Vishay新型Sfernice面板電位計
Vishay近日宣布推出兩款微型面板電位計 --- P11P 和 P11D
2009-02-06
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WSLT2010…18:Vishay推出2010封裝尺寸電流感測電阻
Vishay日前推出新型高溫 1-W 表面貼裝 Power Metal Strip 電阻，該產品是業(yè)界首款可在 –65°C 到 +275°C 溫度范圍內工作的 2010 封裝尺寸電流感測電阻 --- WSLT2010…18。WSLT2010…18 電阻具有極低的電阻值范圍（10-m 到 500-m）、較低的誤差（低至 ±0.5%）和低 TCR 值（低至 ±75 ppm/°C）。
2009-02-04
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為大功率和混合動力汽車優(yōu)化的Vishay負載突降保護器件
現(xiàn)在汽車上的電子設備越來越多，所有連接在供電線路上的電子系統(tǒng)的保護器件不可能平均分擔瞬態(tài)能量。瞬態(tài)能量對連接的那些最低阻抗的保護器件的影響尤為嚴重。因此，在汽車電子設計中，一個保護器件要能夠安全地承受負載突降狀態(tài)瞬變的全部能量。本文介紹了負載突降的概念和該如何去應對該種情況以及Vishay應對該問題的策略和相關電路保護器件。
2009-01-25
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TSOP75xxx ：Vishay最佳敏感度/尺寸比SMD紅外接收器系列
日前，Vishay宣布推出用于遙控系統(tǒng)的新型超小型表面貼裝（SMD）紅外接收器系列 --- TSOP75xxx，從而拓寬了其光電子產品系列。TSOP75xxx 系列器件具有 0.15 mW/sqm 的典型輻照度、在 3.3 V 時 0.35 mA 的超低電流、側視型的厚度僅為 3.0 mm及業(yè)界最佳敏感度/尺寸比。
2009-01-23
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Si8422DB ：Vishay采用MICRO FOOT封裝的MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH） 宣布推出業(yè)界首款采用 MICRO FOOT芯片級封裝的 TrenchFET功率 MOSFET --- Si8422DB，該器件具有背面絕緣的特點。
2009-01-21
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