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SiB800EDK：Vishay新款超小MOSFET＋SBD器件
日前，Vishay宣布推出業界最小的 20V n 通道功率 MOSFET＋肖特基二極管--- SiB800EDK，該器件采用 1.6mm×1.6mm 的熱增強型 PowerPAK SC-75 封裝。這款新型器件的推出，意味著Vishay將其在 100 mA 時具有 0.32V 低正向電壓的肖特基二極管與具有在低至 1.5V 柵極驅動時規定的額定導通電阻的 MOSFET 進行了完美結合。
2008-12-15
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SiP4613A/B ：Vishay新型高端負載開關器件
日前，Vishay推出一款新型有保護的高端負載開關-- SiP4613A/B。隨著該型器件的面世，Vishay進一步擴充了其電流限制保護負載開關系列。該器件可在 2.4V～5.5V 的電源電壓范圍內運行，并可處理 1A 的持續輸出電流。
2008-12-11
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EKX系列：Vishay最新高性能鋁電容器
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布推出新系列徑向鋁電容器--- EKX系列器件，這些器件可實現 +105°C 的高溫運行，且具有低阻抗值以及高電容值及紋波電流。
2008-12-08
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Vishay推出采用TurboFET技術第三代功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出兩款 20V 和兩款 30V n 通道器件，從而擴展其第三代 TrenchFET 功率 MOSFET 系列。這些器件首次采用 TurboFET技術，利用新電荷平衡漏結構將柵極電荷降低多達 45%，從而大幅降低切換損耗及提高切換速度。
2008-12-05
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VSMF4720：Vishay新型SMD PLCC2封裝高功率紅外發射器
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）推出采用 PLCC2 封裝的新型 870nm SMD 紅外發射器，拓寬其光電子產品系列。該器件具有業界最低的正向電壓及最高的輻射強度。
2008-11-25
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VBUS053AZ-HAF：Vishay新型USB-OTG總線端口保護陣列
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布推出新型超薄 ESD 保護陣列，該器件具有低電容和漏電流，可保護 USB-OTG 端口免受瞬態電壓信號損壞。新器件在工作電壓為 5.5V 時提供三線 USB ESD 保護，在工作電壓為 12V 時提供單線 VBUS 保護。
2008-11-20
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SiR440DP/SiR866DP/SiR890DP：Vishay新型第三代功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）推出一款新型 20V n 通道器件，擴展了其第三代 TrenchFET功率MOSFET 系列。該器件采用 PowerPAK SO-8 封裝，在 20V 額定電壓時具有業界最低導通電阻及導通電阻與柵極電荷乘積。
2008-11-20
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ECL系列：Vishay最新高電容值高紋波電流SMD鋁電容器
日前，Vishay宣布推出新系列表面貼裝鋁電容器，這些器件可實現 +105°C 的高溫運行，具有低阻抗值以及高電容值及紋波電流。新型 ECL系列極化鋁電解電容器可在高密度 PCB 上實現表面貼裝，這些器件具有非故態、自修復的電解質。為實現高溫運行，其耐熱墊與模塑底板提供了更高的穩定性與保護。
2008-11-05
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SiR476DP/SiR892DP/SiR850DP ：Vishay新型功率MOSFET
日前，Vishay推出一款新型 25V n 通道器件，從而擴展了其 Gen III TrenchFET功率 MOSFET 系列，對于采用 PowerPAK SO-8 封裝類型且具有該額定電壓的器件而言，該器件具有業界最低的導通電阻以及導通電阻與柵極電荷之乘積。
2008-10-23
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電子元件：并購整合有利于低成本規模擴張
從近期行業最近動態來看，并購整合仍是業界的常態，較典型的有元件市場TDK與EPCOS二大巨頭合并、Vishay收購Kemet電容器生產線。
2008-10-21
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TSOP2X/4X/58X/59X系列：Vishay 5V紅外接收器升級產品
Vishay目前宣布，采用新一代集成電路升級5V紅外接收器的性能，可將器件敏感度提高15%，并增強脈寬精度。
2008-10-01
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MKP 339 X2/338 2 X2/336 2 X2：Vishay新型X2 EMI抑制薄膜電容器
Vishay目前宣布，推出三款最大電源電壓可升至310 VAC的新型X2 電磁干擾（EMI）抑制薄膜電容器，該電容器具有較寬的引腳腳距和電容值范圍。
2008-09-26
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