-
Vishay推出手勢(shì)遙控應(yīng)用高功率高速紅外發(fā)射器
日前，Vishay 宣布推出用于手勢(shì)遙控應(yīng)用的新款高功率高速940nm紅外發(fā)射器VSLB9530S。該器件在100mA電流下的發(fā)射功率達(dá)40mW，在垂直方向和水平方向的半強(qiáng)角分別達(dá)到±18°和±36°，采用TELUX封裝，且開關(guān)速度很快，時(shí)間僅15ns。
2013-08-28
-
Vishay發(fā)布醫(yī)療設(shè)備用TANTAMOUNT固鉭片式電容
日前，Vishay宣布推出新系列TANTAMOUNT表面貼裝固鉭模壓片式電容器TM3系列，新款可靠的模塑電容器采用穩(wěn)固的陽極設(shè)計(jì)、威布爾分級(jí)和Hi-Rel篩選，可在各種家用和醫(yī)用非生命支持醫(yī)療監(jiān)護(hù)和診斷設(shè)備中提供更好的性能和可靠性。
2013-08-22
-
Vishay新增12款±35°半靈敏度角新款高速表面貼裝光探測(cè)器
Vishay日前宣布推出采用微型鷗翼、倒鷗翼和側(cè)視型封裝及寬視角半球形透鏡的新款高速光探測(cè)器。對(duì)于需要成對(duì)發(fā)射器-探測(cè)器的應(yīng)用，新增二極管可以匹配Vishay的新款±25°和±28°發(fā)射器。其中，VEMD2xx3(SL) PIN光電二極管半靈敏度角為±35°，典型輸出電流為10μA，具有1nA的極低暗電流；VEMT2xx3(SL)光電晶體管的典型輸出電流為2.7mA。
2013-08-12
-
Vishay推出高2.1mm的新款10mm標(biāo)準(zhǔn)SMD 7段LED數(shù)碼管
Vishay發(fā)布高2.1mm的新款10mm標(biāo)準(zhǔn)SMD 7段LED數(shù)碼管——VDMx10x0和VDMx10A1系列。該器件采用發(fā)光均勻、無污點(diǎn)的數(shù)碼管和灰色封裝表面，有紅橙黃綠4種顏色，發(fā)光強(qiáng)度達(dá)2750μcd，可用于多種應(yīng)用。
2013-08-07
-
Vishay新款TMBS整流器在3A下正向壓降僅0.34V
日前，Vishay宣布推出12款電流等級(jí)從6A至20A的新型45V、60V和100V的TMBS Trench MOS勢(shì)壘肖特基整流器。新的整流器在3A下的正向電壓降只有0.34V，采用表面貼裝TO-252(DPAK)封裝，非常適合商業(yè)應(yīng)用。
2013-08-02
-
Vishay發(fā)布軍工和航天應(yīng)用液鉭高能電容器，業(yè)界容量最高
Vishay 日前宣布發(fā)布新款液鉭高能電容器---HE4，這款器件在+25℃和1kHz條件下的最大ESR只有0.025?，在市場(chǎng)上類似器件當(dāng)中容量最高，容量為1100μF～72000μF。HE4的制造工藝使其可以承受高應(yīng)力和惡劣的環(huán)境，采用可在軍工和航天應(yīng)用中提高可靠性和性能的特殊殼體設(shè)計(jì)。
2013-07-26
-
Vishay開發(fā)出可承受1850A電流尖峰沖擊的緩沖電容
中高功率逆變器中的IGBT切換時(shí)會(huì)引起很大的電壓和電流尖峰，這種尖峰是導(dǎo)致嚴(yán)重EMI的重要原因。Vishay最新開發(fā)的緩沖電容可承受2500V/μs的高能脈沖和1850A的峰值電流，壽命超過30萬小時(shí)，可耐105℃高溫。
2013-07-20
-
Vishay新增超高容量液鉭電容器，75V下容量達(dá)1000 μF
Vishay日前宣布推出采用特殊密封的新型超高容量系列液鉭電容器---T18系列。新型液鉭電容器適用于航空和航天應(yīng)用，采用D外形尺寸，在75V下的容量高達(dá)1000 μF。
2013-07-20
-
Vishay攜最新半導(dǎo)體和無源元件出展
日前，Vishay 宣布，將展出其最新的半導(dǎo)體和無源元件，展示其在各個(gè)產(chǎn)品線上所取得的業(yè)界領(lǐng)先的創(chuàng)新技術(shù)，幫助各種應(yīng)用提高效率和可靠性。展品包括LED驅(qū)動(dòng)、二極管、最新電容器、電阻和電感器等。
2013-07-05
-
Vishay將在2013中國電子展成都站展示最新業(yè)界領(lǐng)先技術(shù)
Vishay將在6月20至22日成都世紀(jì)城新國際會(huì)展中心舉行的2013中國電子展成都站（夏季會(huì)）上展出其全線技術(shù)方案。Vishay的展位在3號(hào)館A214，展示亮點(diǎn)是其最新的業(yè)界領(lǐng)先的創(chuàng)新產(chǎn)品，包括無源元件、二極管、功率MOSFET、功率IC和光電子產(chǎn)品。
2013-06-18
-
Vishay新型單相橋式整流器 反向電壓可達(dá)1000V
日前，Vishay推出四款單相橋式整流器MBL104S、MBL106S、MBL108S和MBL110S，反向電壓可達(dá)1000V，能夠承受最高30A浪涌電流。該器件采用薄型MBLS封裝，十分適用于智能手機(jī)充電器的AC/DC全波整流。
2013-05-10
-
Vishay推出滿足航空、航天需求的T16系列液鉭電容器
近日，Vishay宣布，其采用glass-to-tantalum密封條的T16系列液鉭電容器現(xiàn)可供貨，有A、B、C和D四種外形代碼。對(duì)于航空和航天應(yīng)用，這些加固過的器件具有更好的耐振動(dòng)（正弦周期振動(dòng)：50g；隨機(jī)振動(dòng)：27.7g）能力。
2013-05-09
- 是否存在有關(guān) PCB 走線電感的經(jīng)驗(yàn)法則？
- 一文看懂電壓轉(zhuǎn)換的級(jí)聯(lián)和混合概念
- 第12講：三菱電機(jī)高壓SiC芯片技術(shù)
- 準(zhǔn) Z 源逆變器的設(shè)計(jì)
- 貿(mào)澤電子持續(xù)擴(kuò)充工業(yè)自動(dòng)化產(chǎn)品陣容
- 低功耗嵌入式設(shè)計(jì)簡(jiǎn)介
- 如何通過基本描述找到需要的電容？
- 意法半導(dǎo)體公布2024年第四季度及全年財(cái)報(bào)和電話會(huì)議時(shí)間安排
- IGBT 模塊在頗具挑戰(zhàn)性的逆變器應(yīng)用中提供更高能效
- 看完CES看CITE 2025開年巨獻(xiàn)“圳”聚創(chuàng)新
- 傳感器和轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)應(yīng)用
- 原來為硅MOSFET設(shè)計(jì)的DC－DC控制器能否用來驅(qū)動(dòng)GaNFET?
- 車規(guī)與基于V2X的車輛協(xié)同主動(dòng)避撞技術(shù)展望
- 數(shù)字隔離助力新能源汽車安全隔離的新挑戰(zhàn)
- 汽車模塊拋負(fù)載的解決方案
- 車用連接器的安全創(chuàng)新應(yīng)用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
