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無需磁性元件的光伏調節器
光伏系統通常包括一種儲能方式——電池或超級電容器——在沒有陽光或電源瞬變時為負載提供電力。然而，在可行的情況下，無儲能系統是一種更環保的替代方案，具有更高的 MTBF。
2024-09-10
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使用 GaN IC 離線電源的大容量電容器優化
額定功率75W以下的適配器可細分為：輸入濾波器、二極管整流器、輸入輸出電容器、IC控制器、輔助電源、磁性元件、功率器件和散熱器。集成解決方案在縮小和簡化轉換器方面已經取得了長足的進步，目前的剩余組件是磁性元件、輸入“大容量”電容器、輸出電容器和 EMI 輸入級。大量的研究和工程工作集中在高頻交流/直流轉換器設計上，以減小磁性元件的尺寸。然而，輸入大容量電容器占據與適配器內的磁性元件相同或更大的體積。
2024-05-07
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BMS電池管理系統中的磁性元件：這樣選，就對了！
在節能減碳的大背景下，全球能源結構正在發生深刻的變化，其中一個重要的標志就是，以鋰離子電池（以下簡稱鋰電池）為代表的儲能技術，將在未來的能源基礎設施中扮演著重要的角色。
2024-04-21
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科達嘉CSCF2918H系列大電流電感應用于大功率DC-DC電源
電力電子技術的不斷發展驅動電源轉換效率的持續提升。電感作為電源系統中的重要元件，其電氣性能影響著電源的安全可靠和轉換效率。通過選用優質的磁性元件材料，結合各種先進工藝和技術優勢進行電感設計創新，可以不斷提升轉換效率。在選擇電感時，需要評估電感值、溫升和飽和電流等重要參數，以滿足電源系統高功率密度設計、高效率轉換需求。
2023-04-17
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Bang－bang 光伏穩壓器無需磁性元件
光伏系統通常包括一種儲能方式——電池或超級電容器——在沒有陽光或電源瞬變期間為負載提供電力。但是，在可行的情況下，無存儲系統是具有更高 MTBF 的更環保的替代方案。
2023-03-29
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磁性元件在光伏中的功率轉換及應用（上）
經過長期的技術發展——特別是在生態危機、化石能源困境等多個重大關鍵課題的刺激下，太陽能在以轉換效率和成本為核心的技術和商業兩方面的關鍵難點上取得了巨大突破。太陽能是可再生能源和可持續電力設施改造的關鍵形式、實現碳中和傳播的重要途徑，這不僅是全球共識，也是美國、歐盟等經濟發達國家目前所處的實際情況。同時，中國也在出臺相應的政策指導方針，大幅增加光伏發電裝置的數量。為光伏發電系統選擇合適的磁性元件對于太陽能的進一步普及具有重要的意義。
2023-02-27
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先進碳化硅技術，有效助力儲能系統
人們普遍認識到，碳化硅（SiC）現在作為一種成熟的技術，在從瓦特到兆瓦功率范圍的很多應用中改變了電力行業，覆蓋工業、能源和汽車等眾多領域。這主要是由于它比以前的硅（Si）和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）的應用具有更多優勢，包括更高的開關頻率，更低的工作溫度，更高的電流和電壓容量，以及更低的損耗，進而可以實現更高的功率密度，可靠性和效率。得益于更低的溫度和更小的磁性元件，熱管理和電源組件現在尺寸更小，重量更輕，成本更低，從而降低了總 BOM 成本，同時也實現了更小的占用空間。
2022-12-22
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ADI公司陳寶興博士當選IEEE會士
中國，北京—ADI公司技術院士(Fellow)陳寶興博士憑借其在集成信號-功率隔離和集成磁性元件領域的突破性貢獻，當選為2022年度IEEE會士(IEEE Fellow)。IEEE會士是最高等級的IEEE會員，業界將其視為一項榮譽稱號，被認為是職業生涯中的重要成就。每一年的當選總人數不得超過總參與投票人數的千分之一。
2022-01-14
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利用C2000實時MCU提高GaN數字電源設計實用性
與碳化硅 (SiC)FET 和硅基FET 相比，氮化鎵 (GaN) 場效應晶體管 (FET) 可顯著降低開關損耗和提高功率密度。這些特性對于數字電源轉換器等高開關頻率應用大有裨益，可幫助減小磁性元件的尺寸。
2021-05-12
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送你一款面向高功率應用的開關電容電源
DC/DC 轉換器的功率密度通常受到體積龐大的磁性元件的限制，特別是在輸入和輸出電壓相對較高的應用中。通過提高開關頻率可以減小電感/變壓器的尺寸，但因開關切換引起的損耗也會造成轉換器效率降低。更好的方法是采用無電感開關電容電源（電荷泵）拓撲完全消除磁性元件。與傳統DC/C 電源相比，電荷泵可在不犧牲效率的情況下將功率密度提高 10 倍之多。飛跨電容代替了電感存儲能量并將其從輸入端傳遞到輸出端。盡管電荷泵設計具有優勢，但由于啟動、保護、MOS管門極驅動等方面存在挑戰，開關電容電源歷來局限于低功率應用。
2021-04-06
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一文掌握 GaN 器件的直接驅動配置！
在設計開關模式電源時，主要品質因數（FOM）包括成本、尺寸和效率。[1]這三個FOM是耦合型，需要考慮諸多因素。例如，增加開關頻率可減小磁性元件的尺寸和成本，但會增加磁性元件的損耗和功率器件中的開關損耗。由于GaN的寄生電容低且沒有二極管反向恢復，因此與MOSFET和IGBT相比，GaN HEMT具有顯著降低損耗的潛力。
2020-08-07
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8種常見高頻磁性元件設計錯誤
為了使電源設計者在設計過程中，避免犯同樣的錯誤，為此，我們針對在學習和研發中遇到的一些概念性的問題進行了總結，希望能給大家提供一個借鑒。
2019-09-24
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