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BSI型CMOS傳感器:東芝從2010年開始量產

發布時間:2009-11-09 來源:技術在線

產品特性:
  • 采用300mm晶圓生產
  • 采用65nm的CMOS工藝
  • 光學格式為1/2.3英寸,幀速率為60幀/秒
適用范圍:
  • 數碼相機、支持視頻的手機和數碼攝像機
東芝將從2010年第三季度開始量產BSI(背面照射)型CMOS圖像傳感器。主要面向數碼相機、支持視頻的手機和數碼攝像機。量產規模最初預定為50萬個/月。BSI型CMOS傳感器采用適合高靈敏度的制造技術,即使在特別暗的地方進行拍攝也能獲得高畫質圖像。

東芝將從2009年底開始樣品供貨1.4μm間距的1460萬像素產品。采用300mm晶圓生產,與競爭企業相比降低了制造成本。競爭企業一般采用200mm晶圓,東芝表示采用300mm晶圓在全球尚屬首次。新產品將采用65nm的CMOS工藝。

在BSI型CMOS傳感器中,可通過采用傳感器上面沒有布線層的結構來提高采光率。研磨形成傳感器的硅底板,然后將鏡頭靠近傳感器安裝。此項工序采用了晶圓薄化和接合等大量面向MEMS使用的工藝技術。由于沒有妨礙光線入射的布線層,因此可提高靈敏度。東芝表示,若是已宣布量產的1.4μm產品,則可將靈敏度提高約40%。另外,該元件的光學格式為1/2.3英寸,幀速率為60幀/秒(支持1080p以及720p)。

對于BSI型CMOS傳感器,幾乎所有的大型圖像傳感器廠商都已經或正在考慮采用。不過,CMOS傳感器的制造工藝比較復雜,需要削減成本。此次東芝決定量產采用300mm晶圓的產品,將進一步加速低成本化競爭、加快BSI型CMOS傳感器向手機的普及速度。
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