在電力電子的很多應用，如電機驅動，有時會出現短路的工況。這就要求功率器件有一定的扛短路能力，即在一定的時間內承受住短路電流而不損壞。目前市面上大部分IGBT都會在數據手冊中標出短路能力，大部分在5~10us之間，例如英飛凌IGBT3/4的短路時間是10us，IGBT7短路時間是8us。而 大 部 分 的 SiC MOSFET 都 沒 有 標 出 短 路 能 力 ， 即 使 有 ， 也 比 較 短 ， 例 如 英 飛 凌 的CoolSiCTM MOSFET單管封裝器件標稱短路時間是3us，EASY封裝器件標稱短路時間是2us。 詳細閱讀>>
干貨
在SiC MOSFET的開發與應用方面，與相同功率等級的Si MOSFET相比，SiC MOSFET導通電阻、開關損耗大幅降低，適用于更高的工作頻率，另由于其高溫工作特性，大大提高了高溫穩定性。
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低電感電機有許多不同應用，包括大氣隙電機、無槽電機和低泄露感應電機。它們也可被用在使用PCB定子而非繞組定子的新電機類型中。這些電機需要高開關頻率（50-100kHz）來維持所需的紋波電流。然而，對于50kHz以上的調制頻率使用絕緣柵雙極晶體管（IGBT）無法滿足這些需求，如果是380V系統，硅MOSFET耐壓... 詳細閱讀>>
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在高壓開關電源應用中，相較傳統的硅MOSFET和IGBT，碳化硅（以下簡稱"SiC"）MOSFET有明顯的優勢。使用硅MOSFET可以實現高頻（數百千赫茲）開關，但它們不能用于非常高的電壓（>1000 V）。而IGBT雖然可以在高壓下使用，但其 "拖尾電流 "和緩慢的關斷使其僅限于低頻開關應用。詳細閱讀>>
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Littelfuse宣布推出IX4352NE低側SiC MOSFET和IGBT柵極驅動器。這款創新的驅動器專門設計用于驅動工業應用中的碳化硅（SiC）MOSFET和高功率絕緣柵雙極晶體管（IGBT）。詳細閱讀>>
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CoolSiC? MOSFET集高性能、堅固性和易用性于一身。由于開關損耗低，它們的效率很高，因此可以實現高功率密度。但盡管如此，工程師需要了解器件的靜態和動態性能以及關鍵影響參數，以實現他們的設計目標。在下面的文章中，我們將為您提供更多關于這方面的見解。 詳細閱讀>>
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Si IGBT和SiC溝槽MOSFET之間有許多電氣及物理方面的差異，Practical Aspects and Body Diode Robustness of a 1200V SiC Trench MOSFET 這篇文章主要分析了在SiC MOSFET中比較明顯的短溝道效應、Vth滯回效應、短路特性以及體二極管的魯棒性。直接翻譯不免晦澀難懂，不如加入自己的理解，重新梳理一遍，希望能給大家帶來更多有價值的信息。今天我們著重看下第一部分——短溝道效應。詳細閱讀>>
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SiC MOSFET 在功率半導體市場中正迅速普及，因為它最初的一些可靠性問題已得到解決，并且價位已達到非常有吸引力的水平。隨著市場上的器件越來越多，必須了解 SiC MOSFET 與 IGBT 之間的共性和差異，以便用戶充分利用每種器件。 詳細閱讀>>
經典案例
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在電動汽車 (EV) 和光伏 (PV) 系統等綠色能源應用所需的 DC-DC 轉換器、電池充電器、電機驅動器和交流 (AC) 逆變器中，碳化硅 (SiC) MOSFET 和硅 (Si) IGBT 是關鍵元件。但是如要獲得最高的效率，SiC MOSFET 和 Si IGBT 的柵極在導通和關斷時需要精確的驅動電壓（具體取決于所使用的器件）。詳細閱讀>>
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隨著電動汽車的車載充電器 (OBC) 迅速向更高功率和更高開關頻率發展，對 SiC MOSFET 的需求也在增長。許多高壓分立 SiC MOSFET 已經上市，工程師也在利用它們的性能優勢設計 OBC 系統。要注意的是，PFC 拓撲結構的變化非常顯著。設計人員正在采用基于 SiC MOSFET 的無橋 PFC 拓撲，因為它有著卓越... 詳細閱讀>>
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在各種電源應用領域，例如工業電機驅動器、AC/DC 和 DC/DC 逆變器/轉換器、電池充電器、儲能系統等，人們不遺余力地追求更高效率、更小尺寸和更優性能。性能要求越來越嚴苛，已經超出了硅 (Si) 基 MOSFET 的能力，因而基于碳化硅 (SiC) 的新型晶體管架構應運而生。詳細閱讀>>
總結一下，商業化的SiC MOSFET普遍采用短溝道設計，用來降低導通電阻，這使得DIBL（漏致勢壘降低效應）比較明顯。SiC MOSFET中的DIBL效應首先表現在飽和電流隨VDS上升而上升，其次表現在柵極電荷曲線中的米勒平臺段呈斜線。從圖中計算得出SiC的QGD需要將VDS與柵極電荷曲線疊加在一起，通過限定邊界條件的方式得出。
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