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大功率晶閘管參數解析之開關特性
功率二極管晶閘管廣泛應用于AC/DC變換器、UPS、交流靜態開關、SVC和電解氫等場合，但大多數工程師對這類雙極性器件的了解不及對IGBT的了解，為此我們組織了6篇連載，包括正向特性，動態特性，控制特性，保護以及損耗與熱特性。內容摘自英飛凌英文版應用指南AN2012-01《雙極性半導體技術信息》。
2021-09-08
晶閘管 參數解析 開關特性
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仿真看世界之650V混合SiC單管的開關特性
英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續流二極管，取代了傳統Si的Rapid1快速續流二極管，配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5)，進一步優化了系統效率、性能與成本之間的微妙平衡。
2021-09-08
仿真 SiC單管 開關特性
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伺服電機驅動接口、電源保護方案
伺服是按控制命令的要求，對功率進行放大、變換以及調控等處理，使驅動裝置輸出的力矩、速度和位置能被控制得非常靈活、方便。
2021-09-08
伺服電機 接口 電源保護
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射頻氮化鎵：趨勢和方向
在過去的 10 年中，氮化鎵已經成為一種越來越重要的射頻應用技術。氮化鎵的材料特性使其器件在功率密度、外形尺寸、擊穿電壓、熱導率、工作頻率、帶寬和效率方面具有優勢。設計師們已經開發出器件解決方案，與競爭性的半導體技術相比，具有非常吸引人的性能特點。
2021-09-08
射頻 氮化鎵 趨勢
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反激同步整流對EMI的影響
過去十年間，移動設備的快速發展讓手機應用滲透到社會的方方面面。日常生活中，人們幾乎手機不離身。因此，大電池容量及快速充電速度成為手機最關鍵的殺手锏之一，這也對適配器提出了更高額定功率和更高功率密度的需求，且需求正呈指數級增長。
2021-09-08
反激同步整流 EMI
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面向48V數據中心應用的高度集成、可擴展、均流熱插拔解決方案
從幾百瓦到幾千瓦，數據中心的服務器和機架功率大幅提高。但高功率水平在多個服務器上分配會不可避免地產生較大的功率損耗，從而損害效率。將傳統的12V配電電壓轉換為48V可以緩解這個問題。
2021-09-08
數據中心 熱插拔 解決方案
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100%國產化低相位噪聲頻率綜合器研制成功
頻率綜合器是現代電子系統的重要組成部分，在通訊、雷達、電子對抗、遙控遙測和儀器儀表等眾多領域得到了廣泛應用。尤其是在衛星導航通信、5G6G、量子通訊、電子戰等系統中，頻率綜合器一直都是射頻系統的核心部件。隨著電子信息技術的發展，電子系統的高性能和小型化已經成為了一個必然的發展趨勢...
2021-09-08
國產化 低相位噪聲 頻率綜合器
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