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SPARC：用于先進(jìn)邏輯和 DRAM 的全新沉積技術(shù)
泛林集團(tuán)發(fā)明了一種名為 SPARC 的全新沉積技術(shù)，用于制造具有改進(jìn)電絕緣性能的新型碳化硅薄膜。重要的是，它可以沉積超薄層，并且在高深寬比的結(jié)構(gòu)中保持性能，還不受工藝集成的影響，可以經(jīng)受進(jìn)一步處理。SPARC 將泛林無(wú)與倫比的等離子技術(shù)與化學(xué)和工藝工程相結(jié)合，實(shí)現(xiàn)了先進(jìn)邏輯和 DRAM 集成設(shè)計(jì)...
2022-10-09
SPARC DRAM 沉積技術(shù)
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INS5699C全面滿足智能電表應(yīng)用中RTC指標(biāo)要求
隨著我國(guó)經(jīng)濟(jì)社會(huì)高速發(fā)展，居民用電量和企事業(yè)單位用電量也隨之急劇增長(zhǎng)，傳統(tǒng)的電網(wǎng)采集系統(tǒng)已經(jīng)無(wú)法滿足需求，新的智能電量采集系統(tǒng)應(yīng)運(yùn)而生。電表集中器，也叫智能電表數(shù)據(jù)集中器，是智能電量采集系統(tǒng)中上下行通信的橋梁，在智能電量采集系統(tǒng)中占據(jù)重要的地位。
2022-10-09
INS5699C 智能電表 RTC指標(biāo)
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紅外熱成像儀對(duì)放大器的芯片結(jié)溫的仿真測(cè)試
隨著 GaN 功率放大器向小型化、大功率發(fā)展，其熱耗不斷增加，散熱問(wèn)題已成為制約功率器件性能提升的重要因素。金剛石熱導(dǎo)率高達(dá) 2000 Ｗ/(m?K)，是一種極具競(jìng)爭(zhēng)力的新型散熱材料，可用作大功率器件的封裝載片。
2022-10-08
紅外熱成像儀 放大器 芯片結(jié)溫
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走向特定領(lǐng)域的EDA
似乎越來(lái)越多的公司正在創(chuàng)建自定義 EDA 工具，但尚不清楚這一趨勢(shì)是否正在加速以及它對(duì)主流EDA行業(yè)意味著什么。
2022-09-30
EDA 芯片
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【干貨】強(qiáng)大的4開(kāi)關(guān)升降壓BOB電源，可升可降、能大能小
基于電感器的開(kāi)關(guān)架構(gòu)電源有3中常見(jiàn)的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，分別是BUCK降壓電源、BOOST升壓電源以及BUCK-BOOST負(fù)壓電源，今天介紹的第4中拓?fù)洹?開(kāi)關(guān)BOB電源，在手機(jī)、汽車、嵌入式等領(lǐng)域都有廣泛應(yīng)用，它的基本工作原理是怎樣的呢？有什么優(yōu)勢(shì)呢？
2022-09-27
BOB電源 升壓電源 負(fù)壓電源
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最新的1200V CoolSiC MOSFET中的.XT技術(shù)如何提高器件性能和壽命
由于碳化硅（SiC）器件的低導(dǎo)通損耗和低動(dòng)態(tài)損耗，英飛凌CoolSiC? MOSFET越來(lái)越多地被用于光伏、快速電動(dòng)車充電基礎(chǔ)設(shè)施、儲(chǔ)能系統(tǒng)和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等工業(yè)應(yīng)用。但與此同時(shí)，工程師也面臨著獨(dú)特的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。實(shí)現(xiàn)更小的外形尺寸，同時(shí)保持功率變換系統(tǒng)的散熱性能，是相互矛盾的挑戰(zhàn)，但英飛凌創(chuàng)新的.XT技術(shù)...
2022-09-27
CoolSiC MOSFET .XT技術(shù)
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采用MEMS技術(shù)制備的全硅法珀傳感器
近年來(lái)，微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)技術(shù)的發(fā)展，為光纖傳感領(lǐng)域注入新活力，將其與光纖結(jié)合為高靈敏度壓力測(cè)量提供可能。光纖MEMS法珀傳感器具有高一致性、可大批量生產(chǎn)、性能優(yōu)易穩(wěn)定等特點(diǎn)。
2022-09-26
MEMS技術(shù) 全硅法珀傳感器
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如果把開(kāi)關(guān)電源的頻率無(wú)限提升..........
估計(jì)很多新手工程師在設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源計(jì)算變壓器時(shí)發(fā)現(xiàn)，把電源的開(kāi)關(guān)頻率提高后變壓器磁芯更加不容易飽和，或者說(shuō)可以用更小的磁性做出同樣功率的電源，甚至在想把開(kāi)關(guān)頻率無(wú)限制提高來(lái)無(wú)限制縮小變壓器的體積。
2022-09-26
開(kāi)關(guān)電源 頻率
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采用IGBT7的1700V Econo DUAL 3模塊性能解析
半導(dǎo)體市場(chǎng)不斷推動(dòng)IGBT技術(shù)實(shí)現(xiàn)更高功率密度、魯棒性和性能水平。對(duì)于新一代IGBT而言，始終需要能夠輕松融入設(shè)計(jì)并在不同應(yīng)用中表現(xiàn)良好的產(chǎn)品。IGBT應(yīng)能助力打造出擁有優(yōu)化系統(tǒng)成本的可擴(kuò)展逆變器產(chǎn)品組合。本文通過(guò)仿真和應(yīng)用測(cè)試，對(duì)英飛凌全新TRENCHSTOP? 1700V IGBT7技術(shù)以及對(duì)應(yīng)的同類最佳90...
2022-09-21
IGBT7 模塊 性能
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