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全集成汽車USB Type-A和USB Type-C充電器控制芯片
汽車中控系統(tǒng)通常都會提供一個 USB 充電端口，該端口需要在傳輸數(shù)據(jù)的同時為移動設(shè)備充電。對這些系統(tǒng)而言，選擇帶 USB 限流開關(guān)的汽車級 IC 非常重要。本文將介紹 MPS 的 USB 充電端口降壓變換器 MPQ4228-C-AEC1，以及如何將其高效率的優(yōu)勢應(yīng)用于 USB 集線器和其他 USB Type-C 、USB Type-A 應(yīng)用中。
2023-07-25
USB Type-C 充電器 控制芯片
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借助更多的選項響應(yīng)正反饋
負(fù)反饋什么時候會變成正反饋？當(dāng)控制工程師想要實現(xiàn)不錯的增益和相位裕度時。本博文概述第 4 代 SiC FET 如何為設(shè)計人員提供理想性能和多種器件選擇，同時支持更高的設(shè)計靈活性，從而實現(xiàn)成本效益最優(yōu)的功率設(shè)計。
2023-07-24
SiC FET 正反饋
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華潤微總裁李虹：中國半導(dǎo)體市場下滑趨勢有到底跡象！
6月17日，在廣州南沙召開的第二屆中國?南沙國際集成電路產(chǎn)業(yè)論壇（2023 IC NANSHA）上，國內(nèi)IDM大廠華潤微（SH688396）總裁李虹在演講中表示，中國半導(dǎo)體市場規(guī)模在過去的一年當(dāng)中，增速弱于全球，呈現(xiàn)周期性衰退，但下滑趨勢有到底跡象。
2023-07-24
華潤微 中國半導(dǎo)體 市場下滑
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工程師必須知道的大電流單通道柵極驅(qū)動器設(shè)計技巧
NCD(V)5700x 是大電流單通道柵極驅(qū)動器，內(nèi)置電流隔離功能，用于在高功率應(yīng)用中實現(xiàn)高系統(tǒng)效率和可靠性。其特性包括：互補(bǔ)輸入（IN+ 和 IN-），開漏故障（1686908889869977.png）和就緒 (RDY) 輸出，復(fù)位或清除故障功能（1686908875512772.png），有源米勒箝位 (CLAMP)，去飽和保護(hù) (DESAT)，去飽和...
2023-07-21
柵極驅(qū)動器 設(shè)計技巧
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百度智能云AI技術(shù)加身，自動駕駛量變到質(zhì)變倍道兼行
當(dāng)前，自動駕駛技術(shù)的發(fā)展可謂日新月異，不過離最高級別還相去甚遠(yuǎn)。2022年，自動駕駛行業(yè)在喜憂參半中前行，一方面，眾多自動駕駛公司估值縮水、裁員倒閉，高級別自動駕駛技術(shù)商業(yè)化落地尚需時日；另一方面，國內(nèi)自動駕駛利好政策密集出臺，首次實現(xiàn)立法突破，自動駕駛測試區(qū)不斷增加。
2023-07-20
百度智能云 AI 自動駕駛
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深度剖析IGBT柵極驅(qū)動注意事項
IGBT晶體管的結(jié)構(gòu)要比 MOSFET 或雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 復(fù)雜得多。它結(jié)合了這兩種器件的特點(diǎn)，并且有三個端子：一個柵極、一個集電極和一個發(fā)射極。就柵極驅(qū)動而言，該器件的行為類似于 MOSFET。它的載流路徑與 BJT 的集電極-發(fā)射極路徑非常相似。圖 1 顯示了 n 型 IGBT 的等效器件電路。
2023-07-20
IGBT 柵極驅(qū)動 注意事項
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貿(mào)澤電子第六次斬獲Molex年度全球優(yōu)質(zhì)服務(wù)代理商獎
2023年7月19日 – 提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) ，宣布榮獲全球電子產(chǎn)品知名企業(yè)和連接創(chuàng)新者M(jìn)olex頒發(fā)的2022年度全球優(yōu)質(zhì)服務(wù)（目錄）代理商獎。這也是貿(mào)澤第六次斬獲這一全球知名獎項，貿(mào)澤憑借2022年度全球客戶數(shù)大幅增長，以及增...
2023-07-19
貿(mào)澤電子 Molex
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高層專訪 | 感知未來，照亮世界，艾邁斯歐司朗的穩(wěn)健前行
自ams于2019年宣布收購OSRAM并成立艾邁斯歐司朗集團(tuán)（ams OSRAM）以后，這家光學(xué)解決方案的全球領(lǐng)導(dǎo)者就穩(wěn)步發(fā)展，“傳感即生活”也一如既往地成為這家光學(xué)巨頭的發(fā)展愿景。
2023-07-19
艾邁斯歐司朗 傳感器
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PFC電路：死區(qū)時間理想值的考量
由于該電路是進(jìn)行同步整流工作的電路，所以我們通過仿真來探討高邊（HS）和低邊（LS）SiC MOSFET SCT2450KE的死區(qū)時間理想值，即不直通的最短時間。死區(qū)時間可以通過仿真工具的PWM控制器參數(shù)TD1（HS）和TD2（LS）來分別設(shè)置。
2023-07-18
PFC電路 死區(qū)時間 理想值
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