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SiC MOSFET：橋式結構中柵極－源極間電壓的動作
MOSFET和IGBT等電源開關元器件被廣泛應用于各種電源應用和電源線路中。另外，所使用的電路方式也多種多樣，除單獨使用外，還有串聯連接、并聯連接等多種使用方法。
2022-02-11
SiC MOSFET 橋式結構中柵極 源極間電壓
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更高、更快伴生更強要求，迎接DDR5內存驗證和調試挑戰
世界正在經歷一個前所未有的時代，數據呈爆發增長之勢，隨著新技術在更廣泛的范圍內實現，這一趨勢預計將進一步加快。典型的實例包括：5G形式的下一代無線通信，領域不斷擴展的人工智能和機器學習、物聯網(IoT)、加密貨幣、虛擬現實，甚至汽車等諸多領域。
2022-02-11
DDR5內存
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第十屆中國（西部）電子信息博覽會西部電子信息十周年獻禮
2020年5月，中共中央、國務院推出《關于新時代推進西部大開發形成新格局的指導意見》，這是西部大開發20周年之際，對西部大開發的又一次巨大利好。全球視野下，西部大開發迎來升級版。四川經濟突飛猛進。其裝備制造、航天科技等產業在國內處于領先地位，也是全國重要的基礎電子裝備基地。
2022-02-11
化學工藝 中國（西部）電子信息博覽會
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如何快速有效地實施靈活的EV充電系統？
電動汽車的發展趨勢依賴于公共服務站電動汽車 (EV) 充電基礎設施的預期可用性，并且可以通過在用戶的住家和工作場所安裝合適的充電系統來加速發展。盡管核心設計要求基本一致，但每一種系統都有專門的要求，從通信平臺到合規性要求等因素的地區差異又讓這種情況更加復雜。
2022-02-09
電動汽車 EV充電系統
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關于相控陣三種波束成型架構的那些事兒~
本文對模擬、數字和混合波束成型架構的能效比進行了比較，并針對接收相控陣開發了這三種架構的功耗的詳細方程模型。該模型清楚說明了各種器件對總功耗的貢獻，以及功耗如何隨陣列的各種參數而變化。對不同陣列架構的功耗/波束帶寬積的比較表明，對于具有大量元件的毫米波相控陣，混合方法具有優勢。
2022-02-08
相控陣 波束成型架構
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官宣|入場必備！CITE2022觀眾登記全面開啟！
每屆CITE大膽創新精益求精的辦展宗旨給業界留下良好口碑，即使在疫情背景下，CITE 2021通過10 萬平米展示面積、1000+品牌參展、10 萬人次到場觀眾、首創展會直播等規模和形式，成為電子信息行業展會的風向標。
2022-02-06
展會
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如何充分發揮碳化硅耐高溫的優勢？
隨著碳化硅(SiC)技術的發展，器件也在日趨成熟和商業化，其材料獨特的耐高溫性能正在加速推動結溫從150℃走向175℃，有的公司稱，現在已開始研發200℃結溫的碳化硅器件。
2022-01-28
碳化硅
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什么是多級放大電路？
一般情況下，單個三極管構成的放大電路的放大倍數是有限的，只有幾十倍，這就很難滿足我們的實際需要，在實際的應用中，一般是使用多級放大電路。
2022-01-27
多級放大電路
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金虎賀歲 | 微信小程序連續簽到送好禮……
值此新春佳節來臨之際，我愛方案網特針對平臺注冊的新老用戶，推出“連續登錄抽獎”活動，獎品包括青銅/白銀/黃金競標卡若干和會員優惠券。
2022-01-26
微信小程序 簽到
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