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非隔離型柵極驅(qū)動(dòng)器與功率元器件
ROHM不僅提供電機(jī)驅(qū)動(dòng)器IC，還提供適用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)的非隔離型柵極驅(qū)動(dòng)器，以及分立功率器件IGBT和功率MOSFET。我們將先介紹羅姆非隔離型柵極驅(qū)動(dòng)器，再介紹ROHM超級(jí)結(jié)MOSFET PrestoMOSTM。
2021-08-05
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碳化硅如何為電機(jī)驅(qū)動(dòng)賦能
近年來，電力電子領(lǐng)域最重要的發(fā)展是所謂的寬禁帶（WBG）材料的興起，即碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）。WBG材料的特性有望實(shí)現(xiàn)更小、更快、更高效的電力電子產(chǎn)品。WBG功率器件已經(jīng)對(duì)從普通的電源和充電器到太陽能發(fā)電和能量存儲(chǔ)的廣泛應(yīng)用和拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)產(chǎn)生了影響。SiC功率器件進(jìn)入市場的時(shí)間比氮化鎵長，通常用于更高電壓、更高功率的應(yīng)用。
2021-08-05
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電動(dòng)汽車快速充電系列文章之三：常見拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和功率器件及其他設(shè)計(jì)考慮因素
在上一節(jié)中，已經(jīng)介紹了快速DCEV充電基礎(chǔ)設(shè)施的標(biāo)準(zhǔn)配置，以及未來可能的典型基礎(chǔ)設(shè)施。下面介紹當(dāng)今快速DCEV充電器中使用的典型電源轉(zhuǎn)換器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和AC-DC和DC-DC的功率器件的概況。
2021-08-03
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SiC功率器件篇之SiC SBD
SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD（肖特基勢壘二極管）結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。
2021-05-20
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功率器件和被動(dòng)元件點(diǎn)亮第97屆中國電子展，CEF下半年成都上海再相見
2021年4月11日，為期三天的第97屆中國電子展在深圳會(huì)展中心圓滿落幕，展會(huì)與第九屆中國電子信息博覽會(huì)（CITE2021）同期舉辦，現(xiàn)場有超1500家參展商參展，共發(fā)布近萬件新產(chǎn)品、新技術(shù)，全方位、多角度展示我國電子信息產(chǎn)業(yè)的最新發(fā)展成果。同時(shí)，博覽會(huì)期間還舉辦了近100場同期活動(dòng)，吸引了超過10萬名專業(yè)觀眾到場參觀，500余萬觀眾線上觀展。據(jù)主辦方介紹，展會(huì)以“創(chuàng)新驅(qū)動(dòng) 高質(zhì)量發(fā)展”為主題，展覽展示、論壇會(huì)議和現(xiàn)場活動(dòng)三大板塊聯(lián)動(dòng)，三位一體，亮點(diǎn)紛呈。
2021-04-19
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瑞能半導(dǎo)體將攜IGBT和碳化硅等功率器件新品亮相2021慕尼黑上海電子展覽會(huì)
中國上海 - 2021年4月7日 — 2021慕尼黑上海電子展覽會(huì)即將于4月14日至16日在上海新國際博覽中心舉辦。慕尼黑上海電子展作為電子行業(yè)展覽，是行業(yè)內(nèi)重要的盛事。本屆慕尼黑上海電子展覽會(huì)將匯聚近千家國內(nèi)外優(yōu)質(zhì)電子企業(yè)，涵蓋從產(chǎn)品設(shè)計(jì)到應(yīng)用落地的上下游產(chǎn)業(yè)，展示內(nèi)容包括了半導(dǎo)體、傳感器、物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)、汽車電子及測試等。
2021-04-08
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集成柔性功率器件的應(yīng)用理解
什么是集成柔性功率器件?它有什么作用?工業(yè)電子產(chǎn)品的發(fā)展趨勢是更小的電路板尺寸、更時(shí)尚的外形和更具成本效益。由于這些趨勢，電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員必須降低印刷電路板(PCB)的尺寸和成本。
2020-10-28
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功率器件的前世今生
電力電子器件(Power Electronic Device)，又稱為功率半導(dǎo)體器件，用于電能變換和電能控制電路中的大功率(通常指電流為數(shù)十至數(shù)千安，電壓為數(shù)百伏以上)電子器件。由于早期主要用于電力設(shè)備的電能變換和控制電路方面，因此得名“電力電子器件”。
2020-10-22
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碳化硅肖特基二極管的設(shè)計(jì)與優(yōu)化
碳化硅（SiC）具有寬禁帶、高熱導(dǎo)率等優(yōu)良的材料特性，在中高壓功率半導(dǎo)體器件制造中得到了廣泛的應(yīng)用。目前，肖特基二極管、mosfet和jfet是市場上最流行的SiC功率器件。特別是sic schottky二極管已經(jīng)成功地應(yīng)用于電力領(lǐng)域近20年。最早的SiC肖特基二極管采用純肖特基勢壘二極管（SBD）結(jié)構(gòu)。后來，這種結(jié)構(gòu)演變成一種結(jié)勢壘肖特基（JBS）具有低反向泄漏電流。最新的結(jié)構(gòu)被稱為合并PN肖特基（MPS），表現(xiàn)出大幅增加的浪涌電流處理能力。
2020-10-21
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工業(yè)設(shè)備逆變器的絕佳CP：智能功率模塊
智能功率模塊(Intelligent Power Module, IPM)是一種先進(jìn)的功率開關(guān)器件，適應(yīng)了當(dāng)今功率器件的發(fā)展方向—模塊化、復(fù)合化和集成化(PIC)，在電力電子領(lǐng)域得到了越來越廣泛的應(yīng)用。
2020-09-09
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致工程師系列之五：優(yōu)化寬禁帶材料器件的半橋和門驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)
現(xiàn)代寬禁帶功率器件(SiC, GaN)上的開關(guān)晶體管速度越來越快，使得測量和表征成為相當(dāng)大的挑戰(zhàn)，在某些情況下幾乎不可能實(shí)現(xiàn)。隔離探測技術(shù)的出現(xiàn)改變了這種局面，通過這一技術(shù)，設(shè)計(jì)人員終于能夠放心地測量以前回避的半橋和門驅(qū)動(dòng)器波形。
2020-08-31
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一文掌握 GaN 器件的直接驅(qū)動(dòng)配置！
在設(shè)計(jì)開關(guān)模式電源時(shí)，主要品質(zhì)因數(shù)（FOM）包括成本、尺寸和效率。[1]這三個(gè)FOM是耦合型，需要考慮諸多因素。例如，增加開關(guān)頻率可減小磁性元件的尺寸和成本，但會(huì)增加磁性元件的損耗和功率器件中的開關(guān)損耗。由于GaN的寄生電容低且沒有二極管反向恢復(fù)，因此與MOSFET和IGBT相比，GaN HEMT具有顯著降低損耗的潛力。
2020-08-07
- 協(xié)同創(chuàng)新，助汽車行業(yè)邁向電氣化、自動(dòng)化和互聯(lián)化的未來
- 功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（八）——利用瞬態(tài)熱阻計(jì)算二極管浪涌電流
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