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安森美的VE-Trac Dual獲ASPENCORE全球電子成就獎(jiǎng)
2020年11月6日 — 推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào):ON)的VE-Trac Dual電源模塊NVG800A75L4DSC獲2020年全球電子成就獎(jiǎng) (WEAA) 電源管理/電壓轉(zhuǎn)換類創(chuàng)新產(chǎn)品獎(jiǎng)。
2020-11-06
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SiC將會(huì)是分立器件和模塊共存的市場(chǎng)
隨著半導(dǎo)體材料步入第三代半導(dǎo)體時(shí)代,行業(yè)巨頭在SiC/GaN器件和模塊上早已布局多年。事實(shí)上,從特性上來(lái)講,SiC和GaN的優(yōu)勢(shì)是互補(bǔ)的,應(yīng)用覆蓋了電動(dòng)汽車(EV)、新能源、光伏逆變器、智能電器、醫(yī)療、通信射頻。
2020-11-06
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AntMicro開(kāi)源DRAM控制器添加對(duì)RPC DRAM的支持
物聯(lián)網(wǎng)是從半導(dǎo)體技術(shù)的小型化中受益匪淺的領(lǐng)域之一,因?yàn)楦嗟挠?jì)算能力可以被封裝到越來(lái)越小的設(shè)備中。由于體積縮小、功耗降低,各種設(shè)備(包括支持人工智能的設(shè)備)的應(yīng)用方式在幾年前是不可能實(shí)現(xiàn)的。這一領(lǐng)域最令人興奮的發(fā)展之一是RPC(reduced pin count)DRAM的出現(xiàn),這是一種小尺寸的存儲(chǔ)器,Antmicro已經(jīng)開(kāi)發(fā)了對(duì)開(kāi)源內(nèi)存控制器LiteDRAM的支持。
2020-11-05
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貿(mào)澤電子新品推薦:2020年10月
2020年11月4日 – 致力于快速引入新產(chǎn)品與新技術(shù)的業(yè)界知名分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics),首要任務(wù)是提供來(lái)自1100多家知名廠商的新產(chǎn)品與技術(shù),幫助客戶設(shè)計(jì)出先進(jìn)產(chǎn)品,并加快產(chǎn)品上市速度。
2020-11-04
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利用光聲效應(yīng)的MEMS氣體傳感器模塊
光聲效應(yīng)(photoacoustic effect)在19世紀(jì)被發(fā)現(xiàn),它可以將光轉(zhuǎn)換成聲音。當(dāng)物質(zhì)受到周期性強(qiáng)度調(diào)制的光照射時(shí),產(chǎn)生聲信號(hào)的現(xiàn)象。用光照射某種媒質(zhì)時(shí),由于媒質(zhì)對(duì)光的吸收會(huì)使其內(nèi)部的溫度改變從而引起媒質(zhì)內(nèi)某些區(qū)域結(jié)構(gòu)和體積變化;當(dāng)采用脈沖光源或調(diào)制光源時(shí),媒質(zhì)溫度的升降會(huì)引起媒質(zhì)的體積漲縮,因而可以向外輻射聲波。這種現(xiàn)象稱為光聲效應(yīng)。
2020-11-04
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碳化硅FET推動(dòng)了電力電子技術(shù)的發(fā)展
碳化硅(SiC)JFET是一種晶體管類型,它提供單位面積上最低的導(dǎo)通電阻RDS(on),是一種性能穩(wěn)定的器件。與傳統(tǒng)的MOSFET器件相比,JFET不易發(fā)生故障,適合斷路器和限流應(yīng)用。例如,如果你用1毫安的電流偏置一個(gè)JFET的柵極,并監(jiān)控柵極電壓Vgs,見(jiàn)圖1,你可以監(jiān)控器件的溫度,因?yàn)閂gs隨溫度線性降低。此屬性對(duì)于需要功率場(chǎng)效應(yīng)管(Sic JFET)的功率模塊應(yīng)用程序特別有用,它可以監(jiān)視其自身的運(yùn)行狀況。
2020-11-03
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GaN基電源性能的簡(jiǎn)易測(cè)試技術(shù)
今天,大多數(shù)電源路線圖都將GaN晶體管作為一個(gè)關(guān)鍵平臺(tái)集成到其中。與Si-mosfet、igbt和SiC-mosfet相比,GaN晶體管的優(yōu)點(diǎn)意味著工程師們正在將它們廣泛地設(shè)計(jì)到他們的系統(tǒng)中。然而,GaN晶體管在開(kāi)關(guān)電源中的這些進(jìn)步也使得表征這些電源的性能變得越來(lái)越具有挑戰(zhàn)性。在半橋上測(cè)量高邊VGS是診斷晶體管交叉導(dǎo)通的一種傳統(tǒng)方法,對(duì)于基于GaN的設(shè)計(jì)來(lái)說(shuō)是一項(xiàng)艱巨的任務(wù)。典型的解決方案是使用高成本的測(cè)量設(shè)備,這并不總是產(chǎn)生有用的結(jié)果。本文介紹了一種利用GaN晶體管的獨(dú)特特性測(cè)量交叉導(dǎo)通的簡(jiǎn)單而經(jīng)濟(jì)的方法。
2020-11-03
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簡(jiǎn)化汽車和工業(yè)領(lǐng)域的功能安全認(rèn)證
合理的功能安全設(shè)計(jì)離不開(kāi)嚴(yán)謹(jǐn)?shù)膽B(tài)度和大量的文檔參考,也需要投入一定的時(shí)間。無(wú)論您從事工廠車間還是公路方面的設(shè)計(jì),此白皮書(shū)中 TI 的集成電路 (IC) 設(shè)計(jì)方法都會(huì)為您提供所需的資源,從而簡(jiǎn)化功能安全設(shè)計(jì)。隨著工業(yè)和汽車領(lǐng)域自動(dòng)化的出現(xiàn),人們對(duì)功能安全的需求有增無(wú)減。
2020-11-03
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2020年中國(guó)(深圳)集成電路峰會(huì)成功舉辦
10月30日,2020年中國(guó)(深圳)集成電路峰會(huì)(以下簡(jiǎn)稱“峰會(huì)”)在深圳市南山區(qū)華僑城洲際大酒店隆重召開(kāi)。本次峰會(huì)由深圳市人民政府、國(guó)家“核高基”重大專項(xiàng)總體專家組、國(guó)家集成電路設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟、中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)集成電路設(shè)計(jì)分會(huì)主辦,以“新時(shí)期,芯生態(tài)”為主題,以創(chuàng)新共贏、開(kāi)放合為理念,聚焦IC設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)、研討先進(jìn)特色制造和封裝工藝、探索創(chuàng)新生態(tài)體系、促進(jìn)產(chǎn)品創(chuàng)新應(yīng)用。國(guó)內(nèi)外著名院士,專家學(xué)者,技術(shù)行家和企業(yè)領(lǐng)袖匯聚一堂,覆蓋IC設(shè)計(jì)、制造、封測(cè)、應(yīng)用等集成電路行業(yè)上下游全鏈條,深入探討和交流,共同推動(dòng)中國(guó)IC產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展。
2020-11-02
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電源設(shè)計(jì)注意事項(xiàng):噪聲和尖峰
在本文中,我們將看到一個(gè)包含噪聲和感應(yīng)負(fù)載尖峰的模擬。一個(gè)RC網(wǎng)絡(luò)或一個(gè)二極管可以節(jié)省你的mosfet和你的電路。使用的主要電子軟件是LTspice,一個(gè)高性能的SPICE仿真軟件、原理圖捕捉和波形查看器,它具有增強(qiáng)功能和簡(jiǎn)化模擬電路模擬的模型。
2020-11-01
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安森美獲維科杯·OFweek 2020物聯(lián)網(wǎng)行業(yè)最具行業(yè)影響力企業(yè)獎(jiǎng)
中國(guó)深圳 — 2020年10月29日 — 推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào):ON) 在維科杯·OFweek (第五屆) 2020物聯(lián)網(wǎng)行業(yè)年度評(píng)選中獲選為2020物聯(lián)網(wǎng)行業(yè)最具行業(yè)影響力企業(yè)之一。
2020-10-29
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如何簡(jiǎn)化FPGA電源系統(tǒng)管理?
現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列(FPGA)的起源可以追溯到20世紀(jì)80年代,從可編程邏輯器件(PLD)演變而來(lái)。自此之后,F(xiàn)PGA資源、速度和效率都得到快速改善,使FPGA成為廣泛的計(jì)算和處理應(yīng)用的首選解決方案,特別是當(dāng)產(chǎn)量不足以證明專用集成電路(ASIC)的開(kāi)發(fā)成本合理有效時(shí)。
2020-10-29
- 貿(mào)澤與Cinch聯(lián)手發(fā)布全新電子書(shū)深入探討惡劣環(huán)境中的連接應(yīng)用
- 自耦變壓器的構(gòu)造和操作
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- ESR 對(duì)陶瓷電容器選擇的影響(下)
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