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巧用降壓芯片生成負電壓及Vishay功率IC產品介紹
電子電路中負電壓需求有幾種，一種是隔離式的負電壓，在電力、通訊等對抗干擾性能要求較高的場合，需要隔離前端電源輸入的干擾，這個時候可以基于變壓器添加繞組來產生負電壓，或者也可以采用隔離式的電源模塊輸出負電壓給系統供電。另一種是非隔離式的負電壓，通過正輸入電壓，使用Charge Pump, Buck-Boost, Buck, Sepic 等拓撲結構電壓芯片等來產生負電源。
2023-09-26
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革命性醫療成像 imec用非侵入超音波監測心臟
比利時微電子研究中心（imec）的研究人員，推出為超音波成像應用所開發的創新第二代壓電式微機械超音波換能器（PMUT）數組。該數組具備一層氮化鋁鈧（AlScN）壓電層，在水中實現優異的影像擷取，波束控制深度達到10cm。此次取得的技術突破為曲面感測、革命性醫療成像及監測這類復雜的超音波應用提供了發展條件。近期imec攜手其衍生新創Pulsify Medical，一同推動心臟監測技術朝向非侵入式且無需醫師操作的方向發展。
2023-09-26
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選擇正確的電源 IC
電源IC是電源設計中必不可少的部件。本教程將提供為給定應用選擇適當 IC 的步驟。它區分了三種常見的由直流電壓供電的電源 IC：線性穩壓器、開關穩壓器和電荷泵。還提供了更的教程和主題的鏈接。
2023-09-24
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SiC優勢、應用及加速向脫碳方向發展
如今，大多數半導體都是以硅（Si）為基材料，但近年來，一個相對新的半導體基材料正成為頭條新聞。這種材料就是碳化硅，也稱為SiC。目前，SiC主要應用于MOSFET和肖特基二極管等半導體技術。
2023-09-24
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LED 和檢測器 IC 的熱阻測量
該封裝安裝在低電導率測試板上，根據 JEDEC 標準，該測試板的尺寸為 76.2 mm x 76.2 mm。包相對居中。總共準備了兩個低電導率板用于測量。這些測試板由 FR-4 材料制成，銅跡線厚度符合低電導率板的 JEDEC 標準。所有板上都使用了經過測試的“良好”設備。所有熱阻測量數據列于圖 2 中。
2023-09-23
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電機和碳化硅在商用車應用領域的優勢與挑戰
本文將從二氧化碳減排、未來動力總成的技術驅動因素等角度對商用車進行討論，并探討了基于碳化硅（SiC）的現代半導體器件，這些器件可以實現外形更小、效率更高和功能更強大的轉換器。在商用車領域，與乘用車相比，由于驅動架構不同，這個領域并沒有一個通用的解決方案適用于所有情況。
2023-09-22
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貿澤電子供應豐富多樣的u-blox連接和定位產品
2023年9月22日 – 提供超豐富半導體和電子元器件?的業界知名新品引入 (NPI) 代理商貿澤電子 (Mouser Electronics) 供應業界知名定位和無線通信技術制造商u-blox的廣泛產品組合。貿澤通過與u-blox建立的全球授權代理合作關系，為客戶在汽車、工業和消費類設備等應用領域的設計流程提供支持。
2023-09-22
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重磅！國產碳化硅設備再獲佳績
近日，國產SiC設備又傳來了振奮人心的消息：北京中電科電子裝備有限公司的SiC晶錠和晶片減薄機實現了6/8英寸大尺寸和新工藝路線匹配的雙技術突破。
2023-09-21
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實施混合式數據分析平臺的三個步驟
過去八年間，數據中臺及其“統一數據、統一服務、統一身份（One data, one service, one ID）”理念的廣泛采用，推動了中心化數據平臺和職責的普及。2023年Gartner中國CIO調研顯示，80%的中國受訪者依賴中心化IT部門來提供IT架構能力、數據、網絡安全標準和政策。
2023-09-21
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硅基氮化鎵在射頻市場的應用日益廣泛
氮化鎵技術將繼續在國防和電信市場提供高性能和高效率。射頻應用目前主要是碳化硅基氮化鎵（GaN-on-SiC）器件。雖然硅基氮化鎵（GaN-on-Si）目前不會威脅到碳化硅基氮化鎵的主導地位，但它的出現將影響供應鏈，并可能影響未來的電信技術。
2023-09-21
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長電科技鄭力：高性能先進封裝創新推動微系統集成變革
第24屆電子封裝技術國際會議(ICEPT2023)于近日在新疆召開,來自海內外學術界和產業界超700名專家學者、研究人員、企業人士齊聚一堂,共話先進封裝技術創新、學術交流與國際合作。長電科技董事、首席執行長鄭力出席會議,發表《高性能先進封裝創新推動微系統集成變革》主題演講。
2023-09-21
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AMD蘇姿豐：AI對未來芯片設計十分重要，已列為戰略重點
據wccftech消息，AMD CEO蘇姿豐參加了在上海舉行的2023世界人工智能大會（WAIC），她在大會上表示，人工智能技術是未來芯片開發的發展方向，可以在測試和驗證階段提供幫助。
2023-09-21
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