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Energy Micro任命全球首位Simplicity（簡易工作室?）副總裁
節能微處理器公司Energy Micro 宣布任命?yvind Grotmol為Simplicity副總裁。這次任命旨在支持該公司的目標，即：極大地降低MCU系統的復雜性并減少開發時間。?yvind將負責開發Energy Micro的軟件工具、代碼庫和開發工具包，包括最近宣布開發出來的簡易工作室?（Simplicity Studio?）和即將開發的節能無線電（Energy Friendly Radio-- EFR?）產品。
2010-12-06
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RF3932：RFMD開發出75W氮化鎵功率晶體管可用于ATU傳輸網絡
日前，高性能射頻組件以及復合半導體技術設計和制造領域的全球領導者RF Micro Devices, Inc.宣布已通過并生產RF3932，這種無與倫比的75瓦特高效率氮化鎵(GaN)射頻功率晶體管(UPT)比砷化鎵和硅工藝技術的性能更出色。
2010-12-02
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HMC641LP4E/HMC944LC4：Hittite推出單刀四擲開關用于測試測量設備
近日，全球知名的射頻微波MMIC廠商Hittite公司推出兩個SMT封裝的GaAs MMIC SP4T開關（單刀四擲），HMC641LP4E和HMC944LC4，從而為高達30GHz的工業傳感器、測試測量設備、微波通訊、電子對抗和空間應用領域提供理想解決方案。
2010-11-29
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Vishay榮獲2010中國市場電子元器件領軍廠商獎
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，該公司榮獲中電會展與信息傳播有限公司(CEEIC)頒發的“分立半導體類”2010中國市場電子元器件領軍廠商獎(CMECMA)。
2010-11-26
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2011年全球平板裝置市場將增長183%
資策會產業情報研究所(MIC)預估，2010年全球平板裝置(Tablet Device)市場規模將達到1,228萬臺，2011年約為3,481萬臺，成長率為183%；預期至2012年將會突破5,000萬臺，成長率為45.7%。
2010-11-26
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Energy Micro公司任命Andrea Marchi為亞太區銷售副總
2010年11月24日節能微控制器公司Energy Micro日前宣布任命Andrea Marchi為亞太地區的銷售副總。他與Energy Micro中國區總經理和銷售總監Bryan Hung一起在該公司在香港新開的亞洲總部就職。
2010-11-25
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泰科推出微型Pico交換同軸連接器適用于自動檢測
隨著移動設備生產微型化趨勢的不斷發展，市場對與移動終端高頻匹配的微型連接器的需求也在日益增長。為了滿足這一需求，泰科電子日前推出了一款微型 Pico交換同軸連接器。該產品尺寸為2X2X0.9毫米，可進行精度為0.4毫米的自校準。這是市場上最小的同軸連接器產品之一。
2010-11-24
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LED光源工作原理及亮度穩定性
目前LED照明產品要達到高發光效率，進而成為下一代主要光源，首要考慮的是電源模塊的設計，針對不同的燈具產品選擇正確的設計架構。此外，電源控制IC也必須提高電源效率、功率因子、可靠性，以開發適合LED照明需求的產品。
2010-11-23
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FAN5400系列：飛兆半導體開發出USB兼容鋰離子電池開關式充電器
在通過USB端口或 AC/DC適配器為單節或雙節鋰離子(Li-Ion)電池充電時，設計人員需要能夠提高充電速度并解決線性充電器相關的散熱問題的解決方案。為了滿足這一需求，飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)開發了具備USB-OTG功能的 FAN5400系列USB兼容鋰離子電池開關式充電器。
2010-11-22
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VCXO系列：安森美推出PureEdge硅壓控晶體振蕩器系列用于通信領域
安森美半導體(ON Semiconductor)進一步擴充其PureEdge硅壓控晶體振蕩器(VCXO)系列，推出6款新器件。
2010-11-22
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飛兆半導體改進型柵極驅動光耦合器
為了滿足全球各地的能效標準要求，太陽能逆變器、不間斷電源(UPS)和馬達驅動等工業應用的設計人員需要具備更低功耗和更快開關速度的性能更高的柵極驅動光耦合器。飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor) 為此開發出一款輸出電流為3A的高速MOSFET/IGBT柵極驅動光耦合器產品FOD3184。該器件適用于工作頻率高達250kHz的功率 MOSFET和IGBT的高頻驅動，相比常用的FOD3120柵極驅動器，新器件的傳輸遲延時間縮短了50%，功耗降低了13%。
2010-11-19
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SiZ710DT：Vishay Siliconix推出低導通電阻MOSFET器件用于筆記本電腦
日前，Vishay Intertechnology, Inc宣布，推出首款采用PowerPAIR? 6mmx3.7mm封裝和TrenchFET Gen III技術的非對稱雙通道TrenchFET?功率MOSFET --- SiZ710DT，新器件比前一代器件的導通電阻減小43%，同時具有更高的最大電流并提高效率...
2010-11-19
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